[发明专利]单晶的制造方法有效
申请号: | 201980072061.X | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN112996954B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 永井直树;渡边一德;铃木聪;儿玉义博 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B13/28 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 方法 | ||
1.一种基于FZ法的单晶的制造方法,其利用感应加热线圈对原料晶棒进行加热熔融而形成悬浮区域,并使上侧的所述原料晶棒及下侧的单晶棒相对于所述感应加热线圈一边旋转一边相对地下降,使所述悬浮区域移动来生长所述单晶棒,其特征在于,具有:
测量工序,当在结晶生长途中停止生长并结束基于FZ法的单晶的制造时,测量剩余的原料晶棒的重量;
判定工序,根据测量的重量计算利用所述剩余的原料晶棒理论上能够制造的单晶棒的、除去锥体部和尾部的单晶主体部相对于所述剩余的原料晶棒的理论成品率,并在所述结晶生长途中停止生长之前的最初制造的单晶的直径以下的范围内确定满足事先确定的基准成品率的、使用所述剩余的原料晶棒能够再制造的单晶的最大直径,或在不满足所述事先确定的基准成品率的情况下确定不使用所述剩余的原料晶棒制造单晶;以及
再制造工序,在确定了所述能够再制造的单晶的最大直径的情况下,使用所述剩余的原料晶棒以所确定的所述能够再制造的单晶的最大直径来制造单晶,
在所述判定工序中,
事先确定能够制造的单晶的直径、以及作为基准成品率的该能够制造的单晶的直径的最低成品率,
进行最初的计算处理,在所述最初的计算处理中,计算利用所述剩余的原料晶棒能够制造的所述最初制造的单晶直径的理论成品率,
进行最初的判定处理,在所述最初的判定处理中,在该最初制造的单晶直径的理论成品率是按照直径确定的所述最低成品率以上的情况下,将相同的直径作为所述能够再制造的单晶的最大直径,在比按照直径确定的所述最低成品率小的情况下,将单晶的临时最大直径设定为事先确定的所述能够制造的单晶的直径中的小一号的直径,
再次进行计算处理,在该计算处理中,计算利用所述剩余的原料晶棒能够制造的所述单晶的临时最大直径的理论成品率,
进行判定处理,在该判定处理中,在所述单晶的临时最大直径的理论成品率是按照直径确定的所述最低成品率以上的情况下,将该直径作为所述能够再制造的单晶的最大直径,在比按照直径确定的所述最低成品率小的情况下,将所述单晶的临时最大直径重新设定为事先确定的所述能够制造的单晶的直径中的更小一号的直径,以该重新设定的单晶的临时最大直径重复进行所述计算处理、所述判定处理,在以事先确定的所述能够制造的单晶的直径的最低直径计算的理论成品率比按照直径确定的所述最低成品率小的情况下,确定为不制造单晶。
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