[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

说明书

一种存储器阵列，其包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和字线层。所述字线层包括各个存储器单元的栅极区。所述栅极区分别包括各个所述字线层中的字线的部分。沟道材料竖向地延伸穿过所述绝缘层和所述字线层。所述各个存储器单元包括横向位于所述栅极区与所述沟道材料之间的存储器结构。各个所述字线包括横向外侧纵向边缘部分和横向邻近各个所述横向外侧纵向边缘部分的相应横向内侧部分。所述各个横向外侧纵向边缘部分相对于其横向邻近的横向内侧部分向上和向下突出。公开了方法。

技术领域

本文公开的实施例涉及存储器阵列且涉及用于形成存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统且用于计算机系统中以存储数据。存储器可被制造成各个存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称为字线)来写入到存储器单元或从存储器单元读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选状态保留或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些各个存储器单元可被配置成存储两个以上水平或状态的信息。

场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括其间具有半导电沟道区的一对导电源极/漏极区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与沟道区分离。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流动到另一者。当从栅极去除电压时，大大地防止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆可编程电荷存储区。

快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。例如，现代个人计算机可使BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器替代传统的硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是集成式快闪存储器的基本架构。NAND单元装置包括与存储器单元的串联组合进行串联耦合的至少一个选择装置(且所述串联组合通常称为NAND串)。NAND架构可按三维布置配置，其包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元单独地包括可以可逆方式编程的竖直晶体管。控制件或其它电路系统可形成于竖直堆叠的存储器单元之下。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括单独地包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。

附图说明

图1是根据本发明实施例的工艺中的衬底的一部分的横截面示意图。

图1A是图1的一部分的放大视图。

图2是在图1所示工艺步骤之后的工艺步骤处且穿过图3中的线2-2截取的图1衬底的视图。

图3是穿过图2中的线3-3截取的视图。

图4是在图3所示工艺步骤之后的工艺步骤处的图3衬底的视图。

图5是在图4所示工艺步骤之后的工艺步骤处且穿过图6中的线5-5截取的图4衬底的视图。

图6是穿过图5中的线6-6截取的视图。

图7是在图6所示工艺步骤之后的工艺步骤处的图6衬底的视图。

图8是在图7所示工艺步骤之后的工艺步骤处的图7衬底的视图。