[发明专利]用于在带电粒子束设备中对晶片进行热调节的系统和方法

权利要求书

1.一种带电粒子束设备，包括：

热调节站，被配置为对晶片温度进行预调节；

粒子束成像工具，生成晶片台上的晶片的一个或多个图像；以及

控制器，具有用于引起所述带电粒子束设备执行以下操作的电路系统：

利用所述粒子束成像工具扫描所述晶片以测量所述晶片上的多个结构的一个或多个特性；

分析所述多个结构的所述一个或多个特性；

基于对所述多个结构的所述一个或多个特性的所述分析来确定所述晶片的温度特性；以及

基于所述温度特性调节所述热调节站。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器执行分析所述多个结构的所述一个或多个特性包括：

获取所述晶片的所述一个或多个图像，

基于所述一个或多个图像来测量所述晶片的所述多个结构的所述一个或多个特性，以及

将所述多个结构的所述一个或多个特性与参考数据中所述多个结构的对应的一个或多个特性进行比较。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个结构的位置。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个结构之间的距离。

5.根据权利要求2所述的设备，其中所述参考数据与所述晶片的已知温度相关联。

6.根据权利要求2所述的设备，其中所述参考数据包括先前分析的晶片的所确定的温度特性。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器执行分析所述多个结构的所述一个或多个特性包括：

获取所述晶片在时间序列上的第一时间的第一图像，

获取所述晶片在所述时间序列上的第二时间的第二图像，

基于所述第一图像测量所述一个或多个特性的第一集合，

基于所述第二图像测量所述一个或多个特性的第二集合，以及

比较所述多个结构的所述一个或多个特性的所述第一集合和所述第二集合。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个结构的位置。

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个结构之间的距离。

10.根据权利要求7所述的设备，其中所述控制器执行分析所述多个结构的所述一个或多个特性还包括：

获取所述晶片在所述时间序列上的第三时间的第三图像；

基于所述第三图像测量所述一个或多个特性的第三集合；以及

基于所述多个结构的所述一个或多个特性的所述第一集合、所述第二集合和所述第三集合来进行外推过程。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述外推包括指数外推。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述热调节站包括负载锁定单元。

13.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器还执行：

在本地级别标识所述晶片的对准特性，以及

确定所述热调节站是否需要被调节。

14.一种包括指令集的非暂态计算机可读介质，所述指令集由控制器的一个或多个处理器可执行，以引起所述控制器执行用于使用带电粒子束设备来确定晶片的温度特性的方法，所述晶片包括多个结构，所述方法包括：

利用所述带电粒子束设备扫描所述晶片以测量所述晶片上的所述多个结构的一个或多个特性；

分析所述多个结构的所述一个或多个特性；以及

基于对所述多个结构的所述一个或多个特性的所述分析来确定所述温度特性。

15.一种用于使用带电粒子束设备来确定晶片的温度特性的方法，所述晶片包括多个结构，所述方法包括：

利用所述带电粒子束设备扫描所述晶片以测量所述晶片上的所述多个结构的一个或多个特性；

分析所述多个结构的所述一个或多个特性；以及

基于对所述多个结构的所述一个或多个特性的所述分析来确定所述温度特性。