[发明专利]包含垂直晶体管的装置及电子系统与相关方法

权利要求书

1.一种装置，其包括：

至少一个支柱，其包括至少一种氧化物半导体材料，所述至少一个支柱在第一横向方向上在其上部分处比在其下部分处更宽；

栅极电介质材料，其邻近于所述至少一个支柱的侧壁且在所述第一横向方向上延伸；及

至少一个栅极电极，其邻近于所述栅极电介质材料的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个支柱在第二、不同横向方向上在其所述下部分处比在其所述上部分处更宽。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述氧化物半导体材料包括以下项中的一或多者：氧化锌锡、氧化铟锌、氧化锌、铟镓锌氧化物、铟镓硅氧化物、氧化铟、氧化锡、氧化钛、氮氧化锌、氧化镁锌、氧化铟锌、锆铟锌氧化物、铪铟锌氧化物、锡铟锌氧化物、铝锡铟锌氧化物、硅铟锌氧化物、氧化锌锡、铝锌锡氧化物、镓锌锡氧化物、锆锌锡氧化物、铟镓硅氧化物及氧化铟钨。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述氧化物半导体材料包括未经蚀刻材料。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述氧化物半导体材料包括包含至少两种不同氧化物半导体材料的复合结构。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个栅极电极包括在所述至少一个支柱的两个相对表面上方的两个栅极电极。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个栅极电极在所述至少一个支柱的在所述第一横向方向上延伸的侧上。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一种氧化物半导体材料包括包含至少第一氧化物半导体材料及邻近于所述第一氧化物半导体材料的至少第二氧化物半导体材料的复合结构。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一种氧化物半导体材料包括包含第一组合物的第一氧化物半导体材料及邻近于所述第一氧化物半导体材料的至少第二氧化物半导体材料，所述第二氧化物半导体材料包括与所述第一氧化物半导体材料相同的元素及与所述第一氧化物半导体材料不同的化学计量比。

11.一种形成装置的方法，其包括：

在电绝缘材料中形成第一沟槽；

在所述第一沟槽内形成牺牲材料；

在所述电绝缘材料及所述牺牲材料中形成第二沟槽，所述第二沟槽在与所述第一沟槽不同的方向上横向延伸；

在所述第二沟槽内形成栅极电介质材料；

邻近于所述栅极电介质材料的至少一部分形成栅极电极材料；

用电绝缘材料填充所述第二沟槽的剩余部分；

移除所述牺牲材料的剩余部分以形成开口；及

在所述开口内形成氧化物半导体材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述第一沟槽内形成牺牲材料包括用碳填充所述第一沟槽。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在所述第一沟槽内形成牺牲材料包括用多晶硅填充所述第一沟槽。

14.根据权利要求11所述的方法，其中用氧化物半导体材料填充所述开口包括用铟镓锌氧化物填充所述开口。

15.根据权利要求11所述的方法，其中用氧化物半导体材料填充所述开口包括用以下项中的一或多者填充所述开口：氧化锌锡、氧化铟锌、氧化锌、铟镓锌氧化物、铟镓硅氧化物、氧化铟、氧化锡、氧化钛、氮氧化锌、氧化镁锌、氧化铟锌、锆铟锌氧化物、铪铟锌氧化物、锡铟锌氧化物、铝锡铟锌氧化物、硅铟锌氧化物、氧化锌锡、铝锌锡氧化物、镓锌锡氧化物、锆锌锡氧化物、铟镓硅氧化物及氧化铟钨。