[发明专利]发光二极管结构及发光二极管制造方法

说明书

提供了一种发光二极管结构和发光二极管制造方法。所述发光二极管制造方法包括以下步骤：准备下基底，下基底包括基底和形成在基底上的分离层，并且准备形成在分离层上的至少一个半导体棒；形成棒结构，棒结构包括在分离层上形成为封装半导体棒的棒保护层和形成在棒保护层的至少一部分上的辅助层；以及去除分离层以使棒结构与下基底分离，随后将半导体棒与棒结构分离。

技术领域

本公开涉及一种制造发光元件的方法，具体地，涉及一种包括能够防止发光元件被蚀刻剂损坏的有机钝化膜的发光元件结构以及一种制造发光元件的方法。

背景技术

随着多媒体技术的发展，显示装置正在变得更加重要。因此，已经使用了诸如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示(LCD)装置等的各种显示装置。

典型的显示装置包括诸如OLED显示面板或LCD面板的显示面板。发光显示面板可以包括诸如以发光二极管(LED)为例的发光元件，LED可以被分类为使用有机材料作为荧光材料的OLED和使用无机材料作为荧光材料的无机LED(ILED)。

作为使用有机材料作为荧光材料的LED的OLED易于制造，并且OLED显示装置是理想柔性的。然而，OLED易受高温环境影响，并且对于蓝光具有相对低的效率。

相反，作为使用无机半导体作为荧光材料的LED的ILED即使在高温环境中也具有耐久性，并且对于蓝光具有比OLED高的效率。此外，已经开发了利用介电泳(DEP)的转移方法作为ILED的制造方法，ILED的制造方法长期以来被指出为ILED的限制，并且已经继续研究具有比OLED优异的耐久性和效率的ILED。

发明内容

技术问题

可以通过在基底上生长掺杂有n型或p型掺杂剂的半导体层和无机荧光材料层以形成特定形状的棒并且使棒分离来获得ILED。然而，在使用化学剥离(CLO)方法来使棒分离的情况下，棒的外周表面和棒中的每个的两端处的电极会被用于去除分离层的蚀刻剂损坏。

为了解决上述问题，本公开的实施例提供了一种制造发光元件的方法，该方法能够使对每个半导体棒的外周表面或电极的损坏最小化。

本公开的实施例还提供了一种包括棒保护层和多个发光元件的发光元件结构，棒保护层保护发光元件不与外部接触。

应注意的是，本公开的目的不限于上述目的，通过下面的描述，本发明的其他目的对于本领域技术人员将是明显的。

技术方案

根据本公开的示例性实施例，一种制造发光元件的方法包括以下步骤：准备下基底，下基底包括基底和形成在基底上的分离层，并且准备形成在分离层上的至少一个半导体棒；形成棒结构，棒结构包括在分离层上形成为围绕所述至少一个半导体棒的棒保护层和形成在棒保护层的至少一部分上的辅助层；以及通过去除分离层将棒结构与下基底分离，并且将所述至少一个半导体棒与棒结构分离。

在分离棒结构的步骤中，可以通过用于分离的蚀刻剂蚀刻掉分离层，棒保护层可以不与用于分离的蚀刻剂反应。

用于分离的蚀刻剂可以包括含有氟(F)的材料，棒保护层可以包括不溶于用于分离的蚀刻剂中的有机材料。

形成棒结构的步骤可以包括通过用有机材料涂覆所述至少一个半导体棒来形成棒保护层。

棒保护层的有机材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、光致抗蚀剂(PR)和聚-(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)中的至少一种。

分离所述至少一个半导体棒的步骤可以包括从棒保护层去除辅助层的步骤、将棒保护层的有机材料溶解在溶剂中的步骤以及去除溶解在溶剂中的有机材料的步骤。

去除溶解在溶剂中的有机材料的步骤可以包括热处理从而使有机材料蒸发。