[发明专利]根据来自处理站的单独贡献来表征后处理数据的方法

说明书

一种用于根据来自处理站的单独贡献来表征后处理数据的方法，该后处理数据涉及用于使用针对多个处理步骤中的每一个处理步骤的相应处理设备在多个衬底上制造集成电路的制造工艺，所述处理设备中的至少一些处理设备各自包括多个所述处理站，并且其中，用于处理每个衬底的处理站的组合限定了用于所述衬底的处理线程；该方法包括：以处理线程的循环顺序获得与多个衬底的处理相关联的后处理数据；并且通过比较对应于具有共享处理子线程的衬底的后处理数据的子集来确定特定处理站的单独贡献，其中，处理子线程描述除特定处理站所对应的处理步骤之外的每个处理线程的处理步骤。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月2日提交的并且其全部内容通过引用并入本文的EP申请18204129.3的优先权。

技术领域

本公开涉及用于生产例如半导体装置的衬底的处理。

背景技术

光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可以例如在图案化装置(例如，掩模)处将图案(也通常称为“设计布局”或“设计”)投射到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投射到衬底上，光刻设备可以使用辐射。该辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长为约365nm(i线)、约248nm、约193nm和约13nm。使用波长在4nm至20nm(例如，6.7nm或13.5nm)范围内的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成比使用例如波长约193nm的辐射的光刻设备更小的特征。

低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的处理中，分辨率公式可以表示为CD＝k1×λ/NA，其中，λ是所采用的辐射波长，NA是光刻设备中投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是打印的最小特征大小，但在这种情况下是半间距)，并且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，就越难以在衬底上再现与电路设计者所规划的形状和尺寸相似的图案，以实现特定的电功能和性能。为了克服这些困难，可以将复杂的微调步骤应用于光刻投影设备和/或设计布局。这些包括例如但不限于数值孔径(NA)的优化、定制的照明方案、一个或多个相移图案化装置的使用、设计布局的优化(诸如设计布局中的光学接近校正(OPC))或通常定义为分辨率增强技术(RET)的其他方法。另外或可选地，用于控制光刻设备的稳定性的一个或多个紧密控制回路可以用于改善在低k1下的图案的再现。

光刻设备的控制的有效性可以取决于各个衬底的特性。例如，在由光刻设备处理之前由第一处理工具处理的第一衬底(或制造工艺的任何其他处理步骤，在本文中统称为制造工艺步骤)可以受益于(稍微)不同于在由光刻设备处理之前由第二处理工具处理的第二衬底的控制参数。

通常对于衬底，预处理数据(与在受关注的特定制造工艺步骤之前执行的制造工艺步骤相关联的数据)和后处理数据(与在已经经受受关注的制造工艺步骤之后在衬底上执行的测量相关联的数据)是可用的。例如，期望基于预处理数据的知识来控制受关注的制造工艺，因为这允许控制回路预期期望的后处理结果。然而，该控制通常涉及预处理信息与后处理信息之间的关系以及受关注的处理的控制参数如何影响后处理数据的知识。可能并不总是知道受关注的处理的控制设置如何影响后处理数据。例如，光刻处理内的所施加的剂量设置可能对与在执行光刻处理后获得的特征相关联的特定临界尺寸具有可预测的影响，或者可能不具有可预测的影响。更有问题的可以是基于通常非常大量的预处理数据来预测后处理数据的方法的性能较差。通常，预处理数据包括太多的参数以至于无法构建将预处理数据链接到后处理数据的可靠模型。