[发明专利]具有多层膜片的半导体换能器装置以及制造具有多层膜片的半导体换能器装置的方法

权利要求书

1.一种电容式半导体换能器装置，包括：

-半导体本体(1)，

-膜片(10)，其具有第一层(9)和第二层(8)，

-底部电极，以及

-顶部电极，其相比于所述底部电极，以距所述半导体本体(1)更远的距离设置，

其中，所述膜片(10)的主延伸平面与所述半导体本体(1)的表面平行设置，

-所述膜片(10)在与所述膜片(10)的主延伸平面垂直的方向上与半导体本体(1)相距一定距离悬置，

-所述第二层(8)包括钛和/或氮化钛，

-所述第一层(9)包括钨、铝、氧化铝、碳化硅和硅锗中的至少一种作为耐蚀刻剂的材料，所述蚀刻剂包括氟或氟化合物，

-所述第二层(8)设置在所述半导体本体(1)与第一层(9)之间，

所述膜片(10)包括与所述第二层(8)接触的第三层(7)，并且相比于所述第二层(8)，所述第三层(7)以距所述半导体本体(1)更短的距离设置，以及

所述第三层(7)是所述膜片(10)的主层，并且构成所述顶部电极。

2.根据权利要求1所述的电容式半导体换能器装置，其中，对于包括氟或氟化合物的蚀刻剂，所述第一层(9)的蚀刻速率低于所述第二层(8)的蚀刻速率。

3.根据权利要求1所述的电容式半导体换能器装置，其中，所述膜片(10)还包括第四层(6)，其中所述第四层(6)：

-包括钛和/或氮化钛，并且

-相比于所述第三层(7)，以距半导体本体(1)更短的距离设置。

4.根据权利要求1所述的电容式半导体换能器装置，其中，所述第三层(7)包括金属。

5.根据权利要求1至3之一所述的电容式半导体换能器装置，其中，所述半导体本体(1)还包括集成电路(14)。

6.根据权利要求1至3之一所述的电容式半导体换能器装置，还包括：

-所述底部电极的电极层(3)，其设置在所述半导体本体(1)与膜片(10)之间，

-通孔(12)，其将所述电极层(3)和半导体本体(1)互连，以及

-另外的通孔(13)，其将所述膜片(10)和半导体本体(1)互连。

7.根据权利要求6所述的电容式半导体换能器装置，还包括覆盖层(2)，所述覆盖层设置在所述半导体本体(1)与电极层(3)之间。

8.根据权利要求1至3之一所述的电容式半导体换能器装置，还包括蚀刻停止层(4)，所述蚀刻停止层设置在所述半导体本体(1)与膜片(10)之间。

9.一种压力传感器，其包括根据权利要求1至3之一所述的电容式半导体换能器装置。

10.一种移动装置，其包括具有根据权利要求1至3之一所述的电容式半导体换能器装置的压力传感器。