[发明专利]用于写入和读取存储在聚合物中的数据的改进的系统和方法

权利要求书

1.一种控制存储在聚合物上的数据的数据比特率的方法，所述聚合物穿过基于纳米孔的存储装置中的纳米孔，所述方法包括：

接收参考平均比特率；

接收从存储在所述聚合物上的所述数据中读取的数据比特，并确定实时瞬时比特率；

基于所述瞬时比特率来计算实际平均比特率；

计算所述参考平均比特率与所述实际平均比特率之间的比特率差；以及

动态地控制操纵电压，所述操纵电压控制存储在穿过所述纳米孔的所述聚合物上的所述数据的数据比特率，以使得所述实际平均比特率基本上保持在所述参考平均比特率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过动态控制逻辑来执行对所述操纵电压的所述控制。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述动态控制逻辑包括以下中的至少一项：比例积分PI、比例、比例-积分-微分(PID)、低通(LP)、高通(HP)、带通(BP)、二次(二阶)、线性、非线性、超前/滞后和多阶控制。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述操纵电压产生与穿过所述纳米孔的所述聚合物的速度成比例的电场。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，数据被存储在纳米孔聚合物存储装置中，所述装置具有添加“0”室，添加“1”室，和“解块”室。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述参考平均比特率在所述装置正在读取数据时被设定为第一值，并且在所述装置正在写入数据时被设定为第二值。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，用于读取数据或写入数据的参考比特率基于所述数据在读取或写入时沿着所述聚合物存储串位于何处而改变。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，当所述聚合物穿过所述纳米孔时，用于读取数据或写入数据的参考比特率基于存储在所述聚合物上的数字数据图案而改变。

9.一种存储和读取数字数据的方法，包括：

提供具有至少一个存储器单元的纳米孔聚合物存储装置，所述存储器单元包括至少两个添加室，每个添加室被布置为当所述聚合物进入相应的添加室时向聚合物(或DNA)串添加唯一的化学结构(或代码)，所述数据包括代码的序列；

以一比特率依次操纵所述聚合物通过所述纳米孔进入所述添加室，以将所述代码添加到所述聚合物，从而在所述聚合物上产生所述数字数据图案；以及

使用伺服控制器准确控制所述聚合物的所述比特率。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：以读取比特率操纵所述聚合物通过所述纳米孔以读取所述聚合物上的所述代码，以及其中，当读取存储在所述聚合物上的所述代码时，所述控制器控制所述聚合物的所述读取比特率。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述控制器包括动态控制逻辑，所述动态控制逻辑包括以下中的至少一项：比例积分(PI)、比例、比例-积分-微分(PID)、低通(LP)、高通(HP)、带通(BP)、二次(二阶)、线性、非线性、超前/滞后、和多阶控制。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中，所述装置包括多个存储器单元，并且所述伺服控制器独立地控制用于每个所述存储器单元的所述比特率。

13.一种使用聚合物存储和检索数据的方法，包括：

将数据存储在纳米孔聚合物存储装置中，所述装置具有添加“0”室、添加“1”室和“解块”室，并且所述数据作为原始存储数据被编码为存储过程的一部分；

从纳米孔存储器单元中检索所述原始存储数据；以及

处理所述原始数据以提供纯净数据以供用户装置使用。