[发明专利]用于高深宽比图案化和竖直缩放的膜堆叠简化

权利要求书

1.一种方法，其包含：

提供半导体衬底；

沉积具有至少三种不同材料的无金属多层堆叠件，所述三种不同材料中的至少一者是牺牲层；

在具有所述至少三种不同材料的所述无金属多层堆叠件中蚀刻出沟槽或通孔；

在蚀刻出所述沟槽或通孔之后，相对于所述无金属多层堆叠件的其他材料而选择性蚀刻所述牺牲层，以在所述无金属多层堆叠件的多个层之间形成至少一个空间：以及

在所述至少一个空间中沉积金属，以形成在其中蚀刻有沟槽或通孔的含金属多层堆叠件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述无金属多层堆叠件包括三种不同材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述无金属多层堆叠件包括四种不同材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包含在蚀刻出所述沟槽或通孔之后并在选择性蚀刻所述牺牲层之前，使所述无金属多层堆叠件中的所述沟槽或通孔的侧壁中的介电材料内凹。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲层选自由多晶硅和硅氮化物所组成的群组。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少三种不同材料包含选自由硅氧化物、未掺杂的多晶硅、掺杂的多晶硅、硅氮化物、掺杂氧的硅碳化物、和掺杂氮的硅碳化物所组成的群组的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中通过选自由原子层沉积、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、和物理气相沉积组成的群组的技术来沉积所述无金属多层堆叠件的层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在单一工具的不同腔室中沉积所述无金属多层堆叠件的层

9.根据权利要求1所述的方法，其中在不破坏真空的情况下沉积所述无金属多层堆叠件的层。

10.根据权利要求1所述的方法，其包含：

在蚀刻出所述沟槽或通孔之后使所述至少三种不同材料中的一者内凹，以形成所述通孔的内凹区域；

将介电材料或半导体材料沉积至所述沟槽或通孔中：

回蚀刻所述沟槽或通孔中的所述介电材料或半导体材料以形成光滑的侧壁，从而将所述介电材料留在所述内凹区域中；以及

在选择性蚀刻所述牺牲硅氮化物之前，将栅极材料沉积至所述沟槽或通孔中。