[发明专利]基板处理装置和基板处理装置的清洗方法在审
申请号: | 201980073310.7 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN112997277A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 竹林舟成 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 清洗 方法 | ||
1.一种基板处理装置,具备:
基板保持部,其保持基板;
旋转驱动部,其使所述基板保持部旋转;
盖构件,其用于覆盖被所述基板保持部保持的基板的上表面;
升降部,其使所述盖构件进行升降;
清洗液供给部,其向被所述盖构件覆盖了的所述基板的上表面供给清洗液;以及
控制部,其控制所述基板处理装置来执行以下工序:清洗工序,在将从由所述基板保持部保持的所述基板的上表面起至所述盖构件的下表面为止的上下方向距离设为第一距离的状态下,一边通过所述旋转驱动部使所述基板旋转,一边从所述清洗液供给部向所述基板的上表面供给所述清洗液,由此通过充满所述基板的上表面与所述盖构件的下表面之间的空间的所述清洗液来至少清洗所述盖构件的下表面;以及干燥工序,在所述清洗工序之后,在将所述上下方向距离设为比所述第一距离大的第二距离的状态下,停止从所述清洗液供给部供给所述清洗液,并通过所述旋转驱动部使所述基板旋转,由此至少使所述盖构件的下表面干燥。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述控制部控制所述旋转驱动部,以使所述干燥工序中的所述基板的旋转速度高于所述清洗工序中的所述基板的旋转速度。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备:杯体,其包围所述基板保持部的周围,用于回收从所述基板飞散出的清洗液;以及排气部,其对所述杯体的内部空间进行抽吸,
所述控制部控制所述排气部,以使所述干燥工序中的所述排气部的排气量大于所述清洗工序中的所述排气部的排气量。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备低湿度气体供给部,该低湿度气体供给部向所述基板保持部和所述盖构件的周围的空间供给低湿度气体,
所述控制部控制来自所述低湿度气体供给部的所述低湿度气体的供给量,以使所述干燥工序中的所述基板保持部和所述盖构件的周围的空间的湿度低于所述清洗工序中的所述基板保持部和所述盖构件的周围的空间的湿度。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备:处理液喷嘴,其向被所述盖构件覆盖了的所述基板的上表面的周缘部供给用于处理所述基板的处理液;以及清洗液喷嘴,其向所述处理液喷嘴供给用于清洗所述处理液喷嘴的清洗液。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,所述基板处理装置还具备干燥气体喷嘴或者干燥气体供给部,
其中,所述干燥气体喷嘴向所述处理液喷嘴供给干燥气体,该干燥气体用于使被来自所述清洗液喷嘴的清洗液进行了清洗的所述处理液喷嘴干燥;
所述干燥气体供给部向所述清洗液喷嘴供给干燥气体,并从所述清洗液喷嘴向所述处理液喷嘴供给所述干燥气体。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述盖构件整体上是圆板形的构件,在所述盖构件的中心部设置有作为向被所述盖构件覆盖了的所述基板的上表面供给清洗液的所述清洗液供给部的流体喷嘴。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具备设置于所述盖构件的加热器,在所述干燥工序中,所述控制部控制所述加热器来将所述盖构件进行加热。
9.一种清洗方法,用于在具备基板保持部、旋转驱动部、盖构件、升降部以及清洗液供给部的基板处理装置中至少清洗所述盖构件,其中,所述基板保持部保持基板,所述旋转驱动部使所述基板保持部旋转,所述盖构件用于覆盖所述基板保持部保持的基板的上表面,所述升降部使所述盖构件进行升降,所述清洗液供给部向被所述盖构件覆盖了的所述基板的上表面供给清洗液,
所述清洗方法包括以下工序:
清洗工序,在将从由所述基板保持部保持的所述基板的上表面起至所述盖构件的下表面为止的上下方向距离设为第一距离的状态下,一边使所述基板旋转,一边从所述清洗液供给部向所述基板的上表面供给所述清洗液,由此通过充满所述基板的上表面与所述盖构件的下表面之间的空间的所述清洗液来至少清洗所述盖构件的下表面;以及
干燥工序,在所述清洗工序之后,在将所述上下方向距离设为比所述第一距离大的第二距离的状态下,停止从所述清洗液供给部供给所述清洗液,并通过所述旋转驱动部使所述基板旋转,由此至少使所述盖构件的下表面干燥。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造