[发明专利]交换耦合膜、和利用其的磁阻效应元件以及磁检测装置

权利要求书

1.一种交换耦合膜，其特征在于，

层叠有反铁磁性层和铁磁性层，

所述反铁磁性层具有IrMn层、第1PtMn层、PtCr层以及第2PtMn层按该顺序层叠成使得所述IrMn层临近所述铁磁性层的构造。

2.根据权利要求1所述的交换耦合膜，其中，

具有在所述IrMn层与所述铁磁性层之间还层叠有PtMn层的构造。

3.一种交换耦合膜，其特征在于，

层叠有反铁磁性层和铁磁性层，

所述反铁磁性层具有第1PtMn层、PtCr层以及第2PtMn层按该顺序层叠成所述第1PtMn层临近所述铁磁性层且所述PtCr层的厚度比所述第1PtMn层的厚度以及所述第2PtMn层的厚度中的任一个厚的构造。

4.根据权利要求3所述的交换耦合膜，其中，

所述反铁磁性层在所述第1PtMn层与所述铁磁性层之间具有Mn的含量超过50原子％的含Mn层。

5.根据权利要求4所述的交换耦合膜，其中，

所述含Mn层层叠有多个层。

6.根据权利要求4或者权利要求5所述的交换耦合膜，其中，

所述含Mn层包含选自由IrMn层以及Mn层构成的组中的至少1层。

7.根据权利要求4～权利要求6中的任一项所述的交换耦合膜，其中，

所述含Mn层的厚度为以下。

8.根据权利要求1～权利要求7中的任一项所述的交换耦合膜，其中，

所述第2PtMn层的厚度为大于且小于

9.根据权利要求1～权利要求7中的任一项所述的交换耦合膜，其中，

所述第2PtMn层的厚度为以上且以下。

10.根据权利要求1～权利要求7中的任一项所述的交换耦合膜，其中，

所述PtCr层的厚度为以上。

11.根据权利要求1～权利要求10中的任一项所述的交换耦合膜，其中，

所述反铁磁性层的整体的厚度为以下。

12.一种磁阻效应元件，其特征在于，

层叠有权利要求1～权利要求11中的任一项所述的交换耦合膜和自由磁性层，所述交换耦合膜的铁磁性层构成固定磁性层的至少一部分。

13.一种磁检测装置，其特征在于，

具备权利要求12所述的磁阻效应元件。

14.根据权利要求13所述的磁检测装置，其中，

在相同基板上具备多个权利要求12所述的磁阻效应元件，

在多个所述磁阻效应元件中包含所述固定磁性层的固定磁化方向不同的磁阻效应元件。