[发明专利]固态摄像装置和电子设备在审

专利信息
申请号: 201980074012.X 申请日: 2019-11-14
公开(公告)号: CN112997478A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 饭田聡子;铃木敦史;坂野赖人 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N9/07 分类号: H04N9/07;H04N5/355;H04N5/3745
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王新春;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 摄像 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种固态摄像装置,包括:

以二维格子状排列的多个第一光电转换元件,所述第一光电转换元件均具有第一灵敏度;

以二维格子状排列的多个第二光电转换元件,所述第二光电转换元件均具有低于所述第一灵敏度的第二灵敏度并且分别布置在所述多个第一光电转换元件之间的对应的一个空间处;

多个电荷存储区域,各个所述电荷存储区域包括所述多个第二光电转换元件中的一个第二光电转换元件并且存储由所述多个第二光电转换元件中的对应的一个第二光电转换元件产生的电荷;

多个第一滤色器,其相对于所述多个第一光电转换元件中的每个第一光电转换元件的光接收面一对一地设置;和

多个第二滤色器,其相对于所述多个第二光电转换元件中的每个第二光电转换元件的光接收面一对一地设置,

其中,

在所述多个第一光电转换元件中的每个第一光电转换元件中,针对最靠近所述第一光电转换元件的所述电荷存储区域中包括的所述第二光电转换元件的所述光接收面设置的所述第二滤色器透射与针对最靠近所述电荷存储区域的所述第一光电转换元件的所述光接收面设置的所述第一滤色器透射的波长分量相同的波长分量。

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,在所述多个第一光电转换元件中的每个第一光电转换元件中,在最靠近所述第一光电转换元件的所述电荷存储区域有两个以上的情况下,针对与晶体管相邻的每个所述电荷存储区域中包括的所述第二光电转换元件的所述光接收面设置的所述第二滤色器透射与针对最靠近所述电荷存储区域的所述第一光电转换元件的所述光接收面设置的所述第一滤色器透射的波长分量相同的波长分量,所述晶体管在与所述两个以上电荷存储区域中的每个电荷存储区域相邻的晶体管中具有在使所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件产生电荷的存储时段期间给定的最低电位。

3.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,在所述多个电荷存储区域不与所述多个第一光电转换元件中的每个第一光电转换元件相邻的情况下,针对与晶体管相邻的每个所述电荷存储区域中包括的所述第二光电转换元件的所述光接收面设置的所述第二滤色器透射与针对最靠近所述电荷存储区域的所述第一光电转换元件的所述光接收面设置的所述第一滤色器透射的波长分量相同的波长分量,所述晶体管在所述多个第一光电转换元件中的每个第一光电转换元件周围存在的晶体管中具有在使所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件产生电荷的存储时段期间给定的最低电位。

4.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,除了所述多个第二光电转换元件中的一个第二光电转换元件之外,所述多个电荷存储区域中的每个电荷存储区域还包括存储由所述第二光电转换元件产生的电荷的电荷存储部以及将所述第二光电转换元件和所述电荷存储部彼此连接的节点。

5.根据权利要求4所述的固态摄像装置,其中,所述电荷存储部具有包括在半导体基板的第二表面上形成的多晶硅电极作为电荷存储层的结构,所述第二表面是所述半导体基板的第一表面的相反侧,并且所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件形成在所述第一表面侧。

6.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,

所述多个第一光电转换元件中的每个第一光电转换元件的所述光接收面具有第一面积,并且

所述多个第二光电转换元件中的每个第二光电转换元件的所述光接收面具有小于所述第一面积的第二面积。

7.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,

所述多个第一光电转换元件中的每个第一光电转换元件包括其中预定杂质以第一浓度扩散的区域,并且

所述多个第二光电转换元件中的每个第二光电转换元件包括其中所述预定杂质以低于所述第一浓度的第二浓度扩散的区域。

8.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述多个第一滤色器根据拜耳阵列、X-Trans(注册商标)型阵列、四倍拜耳阵列或白色RGB型阵列的一种排列。

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