[发明专利]正极活性物质、二次电池、电子设备及车辆在审

专利信息
申请号: 201980074494.9 申请日: 2019-11-07
公开(公告)号: CN112997340A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 门马洋平;三上真弓;落合辉明;成田和平;齐藤丞 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01M4/525 分类号: H01M4/525;H01M10/052
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 正极 活性 物质 二次 电池 电子设备 车辆
【权利要求书】:

1.一种包含锂、钴、氧及镁的正极活性物质,包括:

具有层状岩盐型结构的化合物,

其中,所述化合物具有空间群R-3m,

镁在包含锂及钴的复合氧化物中的锂位置及钴位置取代,

所述化合物是粒子,

在锂位置及钴位置取代的镁含量在从所述粒子表面至5nm的区域中与离所述粒子表面有10nm以上的深度的区域相比更多,

并且,在锂位置取代的镁多于在钴位置取代的镁。

2.根据权利要求1所述的正极活性物质,其中所述正极活性物质包含氟。

3.根据权利要求1或2所述的正极活性物质,

其中所述化合物具有晶胞中的钴的坐标为(0,0,0.5)且氧的坐标为(0,0,x),0.20≤x≤0.25的充电深度,

并且所述充电深度的所述晶胞的体积与充电深度为0时的晶胞的体积的差值为2.5%以下。

4.一种包括权利要求1至3中任一项所述的正极活性物质的二次电池。

5.一种二次电池,

其中,在以V、dV、Q、dQ分别为充电电压、V的变化量、充电容量、Q的变化量时表示dQ和dV的比率,即dQ/dV与V的关系的dQ/dV-V曲线中,

所述dQ/dV-V曲线以0.1C以上且1.0C以下的条件及10℃以上且35℃以下的温度测量,

所述dQ/dV-V曲线在V为4.54V以上且4.58V以下的范围内测量两次,

所述两次测量中的第二次测量中观察到第一峰,

并且,所述电压为相对于锂金属的氧化还原电位的电压。

6.根据权利要求5所述的二次电池,

其中所述dQ/dV-V曲线在V为4.05V以上且4.58V以下的范围内测量,

所述dQ/dV-V曲线在V为4.08V以上且4.18V以下的范围内观察到第二峰,

所述dQ/dV-V曲线在V为4.18V以上且4.25V以下的范围内观察到第三峰,

并且所述电压为相对于锂金属的氧化还原电位的电压。

7.根据权利要求6所述的二次电池,

其中所述二次电池包括正极,

达到观察到所述第二峰的充电电压V时,所述正极具有对应于空间群P2/m的晶体结构,

并且达到观察到所述第一峰的充电电压V时,所述正极具有对应于空间群R-3m的晶体结构。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的二次电池,

其中所述二次电池包括负极,

并且所述负极为锂金属。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的二次电池,

其中从所述二次电池取出所述正极,

并且使用锂金属作为所述正极的对电极测量所述dQ/dV-V曲线。

10.一种二次电池,

其中,在以V、dV、Q、dQ分别为充电电压、V的变化量、充电容量、Q的变化量时表示dQ和dV的比率,即dQ/dV与V的关系的dQ/dV-V曲线中,

所述dQ/dV-V曲线以0.1C以上且1.0C以下的条件及10℃以上且35℃以下的温度测量,

所述dQ/dV-V曲线在V为4.05V以上且4.58V以下的范围内反复测量,

所述dQ/dV-V曲线在V为4.54V以上且4.58V以下的范围内观察到第一峰,

所述dQ/dV-V曲线在V为4.08V以上且4.18V以下的范围内观察到第二峰,

所述dQ/dV-V曲线在V为4.18V以上且4.25V以下的范围内观察到第三峰,

所述电压为相对于锂金属的氧化还原电位的电压,

所述第一峰的强度在第一次至第十次测量中增大,

所述第一峰的强度在第三十次至第一百次测量中减小,

并且,所述第二峰的位置的电压在第三十次至第一百次测量中增大。

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