[发明专利]用于提高刷新存储器库的功率效率的系统和方法在审
申请号: | 201980074576.3 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN113016034A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | J·S·雷赫迈耶;D·M·贝尔;G·B·雷德;B·P·卡拉韦;J·E·阿尔茨海默 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C11/408 | 分类号: | G11C11/408;G11C11/406;G11C11/4074 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提高 刷新 存储器 功率 效率 系统 方法 | ||
一种存储器装置(10)可以包含相位驱动器电路(36),所述相位驱动器电路可以输出用于刷新多个存储器单元的第一电压。所述存储器装置(10)还可以包含多个字线驱动器电路(42),所述多个字线驱动器电路可以通过所述相位驱动器电路(36)来接收所述第一电压,使得所述多个字线驱动器电路(42)中的每个字线驱动器电路(42)可以将所述第一电压提供到与所述多个存储器单元的相应部分相关联的相应字线(WL)。另外,每个字线驱动器电路(42)可以基于提供到所述相应字线驱动器电路(42)的第一开关的相应字线使能信号来刷新所述多个存储器单元的所述相应部分。
技术领域
本公开的实施例通常涉及存储器装置领域。更具体地,本公开的实施例涉及存储器装置的刷新操作。
背景技术
如半导体装置、存储器芯片、微处理器芯片、图像芯片等电子装置可以接收用于存储、操作、分析等的数据。数据可以存储在存储器装置或存储器单元(例如,第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR4))中。这些存储器单元可以将数据存储于可以随时间推移而失去其电荷并且定期刷新以继续存储数据的电容器中。可以在刷新操作期间对对应存储器单元的这些存储器充电。
随着安置在电子装置上的组件密度增加,电子装置操作的速度增加,且电子组件(例如,电容器)的大小减小,在存储器装置中执行刷新操作可能会变得更具挑战。例如,在某些类型的存储器库设计(例如,8G和16G)中,由于存在于存储器库中的要刷新的存储器单元的数量,可用于执行刷新操作的时间量可能受到限制。如此,为了执行此刷新操作,可以使用许多电路组件(例如,局部相位驱动器)来将刷新电流(例如,Idd5b)提供给存储器装置内的每个存储器库中的许多行存储器单元。然而,以这种方法执行刷新操作可能涉及针对每行存储器单元循环接通和断开所述许多电路组件。这种循环接通和断开操作在刷新存储器单元时低效率地使用电力。考虑到这一点,期望提供用于更有效地刷新存储器装置的存储器单元的改进的系统和方法。
附图说明
图1是展示了根据本公开的实施例的包含用于刷新存储器库的存储器单元的相位驱动器的半导体装置的简化框图;
图2是展示了根据本公开的实施例的耦接到用于刷新存储器单元的字线驱动器的可以是图1的半导体装置的一部分的相位驱动器的示意图;
图3是展示了根据本公开的实施例的耦接到可以是图1的半导体装置的一部分的相位驱动器的电压选择器的示意图,所述相位驱动器耦接到用于刷新存储器单元的字线驱动器;
图4是展示了根据本公开的实施例的使用一个相位驱动器刷新存储器库的四条字线的示例刷新操作的时序图;而且
图5是展示了根据本公开的实施例的使用一个相位驱动器刷新存储器库的四条字线的另一个示例刷新操作的另一个时序图。
具体实施方式
下面将描述一或多个具体实施例。为了提供对这些实施例的简洁描述,说明书中未描述实际实施方案的所有特征。应当理解,在任何此类实际实施方案的开发中,如在任何工程或设计项目中,必须作出大量实施方案特定的决策以实现开发者的特定目标,如符合系统相关的和商业相关的约束,所述目标可能因实施方案而变化。此外,应当理解,此类开发工作可能是复杂且耗时的,但对受益于本公开的普通技术人员而言仍是设计、生产和制造上的例行工作。
如上所述,如动态随机存取存储器(DRAM)芯片等存储器装置可以通过芯片上的电容器将每个数据位存储在存储器单元中。随时间推移,电容器中的电荷可能会消散或泄露,使得电容器(例如,存储器单元)的数据(例如,电压)可能不会准确地表示原先存储在存储器单元中的数据。为了保存存储在存储器单元中的数据,外部电路系统定期执行刷新操作,所述刷新操作可以包含读取每个单元和重写存储在其上的数据,由此维持电容器上的期望电压或电荷。
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