[发明专利]半导体制造装置部件的清洗装置、清洗方法及清洗系统

权利要求书

1.一种半导体制造装置部件的清洗装置，在所述半导体制造装置部件上附着有半导体，所述半导体制造装置部件的清洗装置具备：

清洗处理炉，用于收容所述半导体制造装置部件；

加热装置，用于对所述清洗处理炉内的所述半导体制造装置部件进行加热；

减压装置，用于对所述清洗处理炉内进行真空排气；

气体导入管，用于向所述清洗处理炉内导入与所述半导体反应的清洁气体；

气体排出管，用于从所述清洗处理炉内排出所述半导体与所述清洁气体的反应生成物；

第一温度控制装置，用于将所述清洗处理炉内的表面的温度维持在所需范围内；以及

第二温度控制装置，用于将所述气体排出管内的温度维持在所需范围内，

进一步具备吹扫气体供给机构，所述吹扫气体供给机构从所述清洗处理炉的外侧向所述清洗处理炉的间隙供给经温度控制的吹扫气体。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，

所述清洗处理炉具有至少一端开口的石英制的反应管和堵塞所述开口的金属制的凸缘。

3.根据权利要求1所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，

所述清洗处理炉具有两端开口的石英制的反应管、堵塞所述开口的一端侧的金属制的第一凸缘和堵塞所述开口的另一端侧的金属制的第二凸缘。

4.根据权利要求2所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，

所述第一温度控制装置具有一个以上的温度控制机构，一个以上的所述温度控制机构分别独立地对所述反应管及所述凸缘中的构造所述清洗处理炉内的表面的一个以上的部分进行温度控制。

5.根据权利要求4所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，

在所述凸缘的与所述清洗处理炉内相对的面的相反侧及所述凸缘的内侧中的任一侧或两侧设置有至少一个所述温度控制机构。

6.根据权利要求4所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，

所述温度控制机构是通过液体的供给和液体的循环中的任一种或两种来进行温度控制的。

7.根据权利要求6所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，

所述温度控制机构具有：

一个以上的换热部，设置在所述凸缘的与所述清洗处理炉内相对的面的相反侧及所述凸缘的内侧中的任一侧或两侧且由所述液体的流路形成；

一个以上的供给路径，用于向所述换热部供给所述液体；

一个以上的排出路径，用于从所述换热部排出所述液体；

一个以上的返送路径，从一个以上的所述排出路径分支，并且合流到一个以上的所述供给路径，用于将所述排出路径内的一部分液体返送到所述供给路径；

一个以上的第一开闭阀，设置在所述供给路径上，用于阶段性地或者连续地调节向所述换热部供给的所述液体的供给量；

一个以上的温度测定装置，设置在所述排出路径上；以及

一个以上的加压输送装置，设置在所述返送路径上。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体制造装置部件的清洗装置，其中，

所述半导体为由通式Al_xIn_yGa_1-x-yN表示的氮化物类化合物半导体，其中，x、y为0≤x＜1、0≤y＜1、0≤x+y＜1，

所述清洁气体为氯类气体。