[发明专利]热电转换元件和热电转换装置在审

专利信息
申请号: 201980074768.4 申请日: 2019-11-08
公开(公告)号: CN113169261A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 藤金正树;反保尚基;中村邦彦;高桥宏平;内藤康幸 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L35/32 分类号: H01L35/32;H01L35/14
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 王潇悦;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 热电 转换 元件 装置
【说明书】:

本公开的热电转换元件(1)具备p型热电转换部(2)、n型热电转换部(3)、第1电极(4)、第2电极(5)和第3电极(6)。p型转换部的一端部(11)和n型转换部的一端部(13)经由第1电极电连接,p型转换部的另一端(12)电连接第2电极,n型转换部的另一端部(14)电连接第3电极。p型转换部具备第1声子晶体层(16),第1声子晶体层(16)具有具备规则排列的多个第1贯穿孔(15)的第1声子晶体结构。n型转换部具备第2声子晶体层(18),第2声子晶体层(18)具有具备规则排列的多个第2贯穿孔(17)的第2声子晶体结构。第1贯穿孔的贯穿方向是连结p型转换部一端部和另一端部的方向。第2贯穿孔的贯穿方向是连结n型转换部一端部和另一端部的方向,提供提高热电转换元件的热电转换效率的技术。

技术领域

本公开涉及热电转换元件和具备该热电转换元件的热电转换装置,该热电转换元件具备具有声子晶体结构的构件。

背景技术

专利文献1、专利文献2和非专利文献1公开了由多个贯穿孔构成的周期结构。该周期结构中,俯视薄膜时,以纳米级(1nm~1000nm的区域)内的周期规则地排列有贯穿孔。该周期结构是声子晶体结构的一种。该类型的声子晶体结构通常具有构成贯穿孔排列的最小单位即晶胞。根据该声子晶体结构,薄膜的热导率能够降低。薄膜的热导率例如也可以通过多孔质化而降低。因为通过多孔质化而导入到薄膜中的空隙使薄膜的热导率减少。但是,根据声子晶体结构,构成薄膜的母材本身的热导率能够降低。因此,与单纯的多孔质化相比,可期待热导率的进一步降低。

专利文献3公开了具备p型热电转换材料和n型热电转换材料的热电转换元件。

现有技术文献

专利文献1:美国专利申请公开第2017/0047499号说明书

专利文献2:美国专利申请公开第2017/0069818号说明书

专利文献3:国际公开第2011/048634号

非专利文献1:Nomura等、“Impeded thermal transport is Si multiscalehierarchical architectures with phononic crystal nanostructures”,物理评论(Physical Review)B 91,205422(2015)

发明内容

本公开提供一种提高热电转换元件的热电转换效率的技术。

本公开提供以下热电转换元件。

一种热电转换元件,具备p型热电转换部、n型热电转换部、第1电极、第2电极和第3电极,其中,

所述p型热电转换部的一方的端部和所述n型热电转换部的一方的端部经由所述第1电极电连接,

所述p型热电转换部的另一方的端部与所述第2电极电连接,

所述n型热电转换部的另一方的端部与所述第3电极电连接,

所述p型热电转换部具备第1声子晶体层,所述第1声子晶体层具有第1声子晶体结构,所述第1声子晶体结构具备规则排列的多个第1贯穿孔,

所述n型热电转换部具备第2声子晶体层,所述第2声子晶体层具有第2声子晶体结构,所述第2声子晶体结构具备规则排列的多个第2贯穿孔,

所述多个第1贯穿孔在所述第1声子晶体结构中的贯穿方向是将所述p型热电转换部的所述一方的端部和所述另一方的端部连接的方向,

所述多个第2贯穿孔在所述第2声子晶体结构中的贯穿方向是将所述n型热电转换部的所述一方的端部和所述另一方的端部连接的方向。

本公开从另一方面提供以下热电转换元件。

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