[发明专利]组合使用低通型宽带匹配、二次谐波反射相移和高通复共轭匹配的宽带阻抗匹配网络

权利要求书

1.一种宽带射频（RF）放大器电路，被配置为跨包括基频带的RF频带而放大从源接收到的RF信号，所述宽带射频（RF）放大器电路包括：

放大电路；以及

多级宽带阻抗匹配电路，在所述放大电路的输入处，并且包括：

低通宽带阻抗匹配网络，其在所述基频带处对RF源呈现低输入反射且在所述基频带的二次谐波处对RF源呈现高输入反射；

相移电路，其被配置为使所述基频带处的所述RF信号通过，并且使所述基频带的所述二次谐波处的所述RF信号的相位偏移；以及

阻抗匹配电路，其被配置为将复共轭放大电路输入阻抗变换为实阻抗。

2.根据权利要求1所述的RF放大器电路，其中，所述低通宽带阻抗匹配网络将50Ω的系统阻抗变换为所述相移电路的特性阻抗。

3.根据权利要求1所述的RF放大器电路，其中，所述相移电路连接在所述低通宽带阻抗匹配网络和所述阻抗匹配电路之间。

4.根据权利要求1所述的RF放大器电路，其中，所述低通宽带阻抗匹配网络至少部分地包括分布电感和电容。

5.根据权利要求1所述的RF放大器电路，其中，所述低通宽带阻抗匹配网络至少部分地包括集总电感器和电容器。

6.根据权利要求1所述的RF放大器电路，其中，所述相移电路包括传输线。

7.根据权利要求1所述的RF放大器电路，其中，所述相移电路包括具有预定截止频率的传输线的集总元件版本。

8.根据权利要求1所述的RF放大器电路，其中，所述阻抗匹配电路是高通阻抗匹配电路。

9.根据权利要求1所述的RF放大器电路，其中，所述高通阻抗匹配电路包括分流电感器。

10.根据权利要求1所述的RF放大器电路，还包括在所述放大电路的输出处的多级宽带阻抗匹配电路，并且其包括：

阻抗匹配电路，其连接到所述放大电路的输出，并且被配置为将复共轭放大电路输入阻抗变换为实阻抗；

相移电路，其被配置成使所述基频带处的放大RF信号通过，并且使所述基频带的所述二次谐波处的放大RF信号的相位偏移；以及

低通宽带阻抗匹配网络，其在所述基频带处呈现低输入反射并且在所述基频带的二次谐波处呈现高输入反射。

11.一种宽带射频（RF）放大器电路，被配置为跨包括基频带的RF频带而放大RF信号，所述宽带射频（RF）放大器电路包括：

放大电路；以及

多级宽带阻抗匹配电路，在所述放大电路的输出处，并且包括：

阻抗匹配电路，其连接到所述放大电路的输出，并且被配置为将复共轭放大电路输入阻抗变换为实阻抗；

相移电路，其被配置成使所述基频带处的放大RF信号通过，并且使所述基频带的二次谐波处的放大RF信号的相位偏移；以及

低通宽带阻抗匹配网络，其在所述基频带处呈现低输入反射并且在所述基频带的二次谐波处呈现高输入反射。

12.根据权利要求11所述的RF放大器电路，其中，所述RF放大器电路从源接收RF信号，并且还包括在所述放大电路的输入处的多级宽带阻抗匹配电路，该多级宽带阻抗匹配电路包括：

低通宽带阻抗匹配网络，其在所述基频带处对RF源呈现低输入反射且在所述基频带的二次谐波处对RF源呈现高输入反射；

相移电路，其被配置为使所述基频带处的RF信号通过，并且使所述基频带的二次谐波处的RF信号的相位偏移；以及

阻抗匹配电路，其被配置为将复共轭放大电路输入阻抗变换为实阻抗。