[发明专利]用于微加工超声换能器装置的抗粘滞的底部腔表面

权利要求书

1.一种形成超声换能器装置的方法，所述方法包括：

在基板的下部换能器电极层上方形成具有形貌特征的绝缘层；

在所述绝缘层上方形成共形的抗粘层使得共形层也具有所述形貌特征；

在形成于所述抗粘层上方的支承层中限定腔；以及

将膜结合至所述支承层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括形成所述形貌特征，所述形貌特征对应于在换能器运行的塌陷模式下所述共形的抗粘层与所述膜之间接触的区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成具有形貌特征的所述绝缘层还包括：

在所述基板上方形成第一类型层以及在所述第一类型层上方形成第二类型牺牲层；

光刻图案化并去除所述第二类型牺牲层的一部分；

在图案化的第二类型牺牲层和所述第一类型层的上方形成第三类型层；

对所述第三类型层进行平坦化直至所述图案化的第二类型牺牲层的顶表面；以及

去除所述图案化的第二类型牺牲层的剩余部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述第一类型层包含SiO₂；

所述第二类型牺牲层包含SiN；以及

所述第三类型层包含SiO₂。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述共形的抗粘层包括通过原子层沉积(ALD)形成的薄膜铝氧化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述薄膜铝氧化物层以约20nm至40nm的厚度形成。

7.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述第一类型层以约10nm至30nm的厚度形成；

所述第二类型牺牲层以约30nm至70nm的厚度形成；以及

所述第三类型层以约400nm至700nm的厚度形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述具有形貌特征的绝缘层还包括：

在所述基板上方形成第一类型层；

光刻图案化并去除所述第一类型层的一部分，以使下部电极层的一部分暂时露出并限定所述形貌特征；以及

以保持所述形貌特征的方式在所述第一类型层上方共形地沉积另外的第一类型层材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述共形的抗粘层还包括在所述另外的第一类型层材料上方共形地沉积第二类型层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述第二类型层上方共形地沉积第三类型层，所述第三类型层包括化学机械抛光(CMP)停止层；

在所述第三类型层上方沉积第四类型层，所述第四类型层包括CMP缓冲层；以及

对所述第四类型层进行平坦化直至所述第三类型层的顶表面。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在所述支承层中限定所述腔还包括：

在所述CMP停止层上方沉积膜支承层；

对所述膜支承层、所述CMP停止层、和所述CMP缓冲层的任何剩余部分进行光刻图案化和蚀刻以使所述抗粘层露出。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述第一类型层包含SiO₂；

所述第二类型层包括通过原子层沉积(ALD)形成的薄膜铝氧化物层；

所述第三类型层包含SiN；以及

所述第四类型层包含SiO₂。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述薄膜铝氧化物层以约20nm至40nm的厚度形成。