[发明专利]用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备

说明书

本发明涉及一种用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备，更特别地，涉及一种用于在光刻工艺中照明，并且即使在光刻工艺中使用有限波长的光的情况下也能够实现白光的白光源和照明设备。公开了一种用于照明执行光刻工艺的曝光室的白光照明设备，该设备包括白光源，该白光源包括：发射峰值波长为450nm至490nm的蓝色发光二极管元件；以及对该蓝色发光二极管元件进行封装的封装层，其中在该封装层中分布与蓝色发光二极管元件一起实施白光发射的一个或多个磷光体以及封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的封阻剂，从而形成波长为450nm至490nm的第一峰值区域以及与第一峰值区域结合实现白光发射的第二峰值区域，并且限制光刻工艺中使用的波长。

技术领域

本发明涉及一种用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备，更特别地，涉及一种用于在光刻工艺中照明的、即使在光刻工艺中使用有限波长的光的情况下也能够实现白光的白光源和照明设备。

背景技术

执行通过曝光光致抗蚀剂来形成电路图案的光刻工艺，以制造半导体、PCB等。安装在执行光刻工艺以制造半导体和PCB的曝光室中的照明不需要发射与光刻工艺中使用的光致抗蚀剂产生反应的波长的光。

更具体地，用于半导体的光刻工艺根据产品特性并通过使用波长为450nm或更小的光(例如，g射线(436nm)、i射线(365nm)、KrF 准分子激光束(248nm)、ArF准分子激光束(193nm)等)来形成电路图案。为此，为了防止在光刻工艺中发生缺陷，在现有技术的半导体和PCB生产线中执行光刻工艺的曝光室中，将波长限制在450nm或更小。

更具体地，在现有技术中，使用包括白色荧光灯的照明，该白色荧光灯被配置成发射用于光刻工艺的波长为400nm至700nm的光，并且该白色荧光灯被封阻波长为450nm的光的薄膜或塑料盖覆盖。在这种情况下，薄膜或塑料盖为黄色并实施黄色的照明环境，如从图1A 中可看到的，使得光刻工艺被称为黄色工艺。

更具体地，如图2所示，在现有技术中用于曝光室的发射黄光的荧光灯400中，光通过高电压汞放电从电极420发射，该电极420设置在由玻璃管构成的主体410的端部，并且当发射光时，围绕主体410 的波长屏蔽膜430封阻特定波长范围(即，450nm或更小的波长范围) 内的光。因此，因为即使将荧光灯400应用于曝光室，光也不会与光致抗蚀剂反应，所以没有干扰光刻工艺。

然而，现有技术中用于曝光室的荧光灯400存在的问题在于，由于主体410中包含汞440而导致环境污染，由于应用在电极420上的发射体在高电压放电过程中蒸发而使荧光灯400无法保持长时间的寿命，并且存在主体410周围的波长屏蔽膜430随着时间流逝而引起光反应以及需要被封阻的波长范围内的光泄漏的风险。

此外，在现有技术中用于曝光室的荧光灯400的情况下，另外需要安装波长屏蔽膜430的工艺，这导致单价增加。特别地，当操作者长时间暴露于黄色照明时，光刻工艺中的黄色照明可能导致诸如操作者的疲劳度增加、可操作性和效率劣化以及可见度劣化的问题。因此，各种相关公司一直试图实施可应用于光刻工艺的白光照明，然而，都还没有提出对上述问题的适当的解决方案。

发明内容

技术问题

本发明致力于解决现有技术中的上述问题，并且本发明的目的在于提供一种用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备，其能够在限制具有光刻工艺中使用的波长的光的同时实施白光。

技术方案

为了实现上述技术目的，根据本发明的一种用于光刻工艺中照明并且用于照亮执行光刻工艺的曝光室的白光照明设备包括：白光源，其包括：蓝色发光二极管元件，具有450nm至490nm的发射峰值波长；以及封装层，其被配置成对蓝色发光二极管元件进行封装，其中，在该封装层中分布与蓝色发光二极管元件一起实施白光发射的一个或多个磷光体以及封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的封阻剂，以在形成波长为450nm至490nm的第一峰值区域和与第一峰值区域结合以实施白光发射的第二峰值区域的同时限制光刻工艺中使用的波长。