[发明专利]包括合成钻石的部件套件

说明书

包括合成钻石(17)的部件套件，所述套件附有从相同原始合成钻石(7)切割出的切片(9)，其中所述切片(9)和所述合成钻石(17)均雕刻有相同标识或雕刻有指示所述合成钻石(17)和所述切片(9)归属在一起的标识。所述套件还包括附属编号真品证书(12)，所述附属编号真品证书(12)指雕刻于所述合成钻石(17)和所述切片(9)上的所述相同标识。雕刻于所述合成钻石(17)和所述切片(9)上的所述相同标识包括所述附属真品证书(12)的编号或指代所述编号。

技术领域

本发明涉及一种用于合成钻石的标识的方法。

特别地，本发明旨在用于合成钻石的标识和登记。

背景技术

合成钻石自身有别于天然钻石，因为其为技术过程的结果，而非天然钻石的地质过程。

已知的是，合成钻石可通过在实验室条件下施加极高压力和温度(高压高温或HPHT过程)来制造，也可通过在实验室条件下应用化学气相沉积(或CVD过程)来制造。

HPHT过程通常发生于反应器腔室中，其中可产生设计成近似于天然钻石在地球上形成条件的温度和压力。

在生长腔室中添加将刺激钻石的生长的元素：富碳材料(诸如钻石粉末)、金属催化剂(诸如铁、镍和钴)，以及小“晶种”钻石(用作将在其上形成钻石的模具)。一旦达到约5GP至6GP的压力和1300℃或更高的温度，则富碳材料由金属催化剂吸收至特定饱和点。然后，生长腔室中的温度梯度允许碳原子开始在晶种钻石上结晶。

根据成品晶体的期望尺寸，该过程可能耗费数周至数月。成品晶体的生长形状受温度影响，但主要结构为八面立方体。在可抛光之前，钻石无需进一步处理。

CVD过程通常在真空腔室的严格条件下进行，并且使用富碳气体，诸如烃类和甲烷。通常，这些气体然后带至大气压力以下，并且加热至700℃至1200℃，此时气体活化开始。

随着气体中的键开始断裂，碳原子开始在真空腔室中附连至钻石的基体上，其通常为方形钻石晶体切片，也称为“晶种晶体”。

生长速度各不相同，但在40天至60天之后，具有首饰质量的钻石得以形成，该钻石以逐个原子的方式生长。成品钻石具有立方体结构，并且通常展现黑色石墨边缘，该黑色石墨边缘为生长过程的正常特征。

为准备成品钻石的修整和抛光，激光器用于从粗制钻石的中心切割出芯部。据此，石墨边缘移除并且纯钻石立方体保留，该纯钻石立方体现将进一步处理以成为成品切割钻石。

在过去，永远不可能确定天然钻石的准确年限，因为天然钻石的年限可达十亿年以上。

然而，合成钻石的生长过程允许我们通过用于其生产的技术来记录钻石从头到尾、精确到秒的生长过程。

合成钻石提供了优点，其赋予按要求生长的钻石的道德保证，从而消除天然钻石开采中的环境问题。

天然切割钻石可进行认证，并且其证书编号可雕刻于钻石上。然而，不可能的是指定天然钻石的诞生日期，因为这无法准确地了解。

发明内容

本发明的目的是，通过提供一种允许将合成钻石的准确诞生日期均示出于合成钻石本身上以及附属证书上的方法，从而提供一种前述和其它缺点的解决方案。

为此，本发明涉及一种用于示出合成钻石的准确诞生日期的方法，该方法至少包括下述步骤：

--利用激光器从待标记的合成钻石切割出切片；

--通过激光器至少雕刻合成钻石的诞生日期，和可选地雕刻额外信息，诸如附属的真品证书的编号和品牌标志；

--可选地，将个人消息雕刻于切割出来的切片上和/或雕刻在源于剩余的粗制合成钻石的成品切割钻石上；