[发明专利]氮化硼纳米结构

权利要求书

1.一种生产氮化硼纳米结构的方法，所述方法包括在绝热辐射屏蔽环境下使氮化硼前驱体材料经受灯烧蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，生产的所述纳米结构包括纳米洋葱结构。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，生产的所述纳米结构包含至少50wt％的纳米洋葱结构。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，经受灯烧蚀的所述氮化硼前驱体材料包括无定形氮化硼、六方氮化硼、立方氮化硼、纤锌矿氮化硼或它们中的两种或更多种的组合。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，经受灯烧蚀的所述氮化硼前驱体材料包括六方氮化硼。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，经受灯烧蚀的所述氮化硼前驱体材料包括：氮化硼纳米喇叭、氮化硼纳米棒、氮化硼纳米管、氮化硼纳米片、氮化硼纳米板、氮化硼纳米洋葱或它们中两种或更多种的组合。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，经受灯烧蚀的所述氮化硼前驱体材料在提供所述灯烧蚀的灯发射内旋转。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，使用氙气放电灯来进行所述灯烧蚀。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述灯烧蚀使用椭圆形镜来进行以将灯发射聚焦到所述氮化硼前驱体材料上。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述氮化硼前驱体材料经受灯烧蚀至少5分钟。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述氮化硼前驱体材料在小于大气压的压力下经受灯烧蚀。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述氮化硼前驱体材料在约1,400℃至约3,500℃之间的温度下经受灯烧蚀。

13.根据前述权利要求中任一项的方法，其中，生产的所述纳米结构包括纳米板结构。

14.根据前述权利要求中任一项的方法，其中，生产的所述纳米结构包括纳米棒结构。

15.根据前述权利要求中任一项的方法，其中，生产的所述纳米结构包括纳米喇叭结构。

16.根据前述权利要求中任一项的方法，其中，生产的所述纳米结构是晶体。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述绝热辐射屏蔽环境为包括熔融石英的容器的形式。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，包含所述氮化硼前驱体材料的所述容器在提供所述灯烧蚀的灯的焦点处或附近。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述生产的氮化硼纳米结构形成在所述容器内，与所述灯的焦点相距约6cm至约30cm。

20.根据权利要求16至18中的任一项所述的方法，其中，所述容器是气密密封的并且具有两层或更多层材料，所述两层或更多层材料彼此间隔并且每层都是气密密封的。

21.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述氮化硼前驱体材料经受多次灯烧蚀暴露。