[发明专利]用于卫星通信的系统和方法在审

专利信息
申请号: 201980076011.9 申请日: 2019-09-18
公开(公告)号: CN113056659A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 费利克斯·伊杰克阿姆;小泰伦·D·米切尔;保罗·索尼埃;丹尼尔·弗朗西斯 申请(专利权)人: 阿卡什系统公司
主分类号: G01J3/40 分类号: G01J3/40;G01N21/65;H03F3/04;H03G3/30;H03G5/24;H01L21/265;H01L29/73
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 李健
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 卫星通信 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种用于发射或接收数据的芯片,包括:

包括第一材料的第一基底;和

与所述第一基底相邻的第二基底,所述第二基底包括与所述第一材料不同的第二材料,其中所述第二基底与所述第一基底晶格匹配,以使得所述第一基底与所述第二基底之间的界面区域在约1332cm·1处展现出sp3碳峰,通过拉曼光谱法所测量,该sp3碳峰具有不大于5.0cm·1的半峰全宽,并且

其中所述第一基底和所述第二基底允许所述芯片以至少每秒500兆比特的传送速率和至少8GHz的频率来发射或接收所述数据。

2.根据权利要求1所述的芯片,其中所述芯片包括射频放大器电路。

3.根据权利要求1所述的芯片,其中所述第一基底具有大于约1000W/mK的热导率。

4.根据权利要求3所述的芯片,其中所述第一基底包括金刚石。

5.根据权利要求1所述的芯片,其中所述第二基底是半导体。

6.根据权利要求5所述的芯片,其中所述第二基底包括III-V族半导体。

7.根据权利要求6所述的芯片,其中所述第二基底包括选自由GaN、InGaN、AlGaN和InGaAlN组成的群组中的材料。

8.根据权利要求5所述的芯片,其中所述第二基底包括硅。

9.根据权利要求1所述的芯片,其中所述界面区域在1550cm·1处展现出sp2碳峰,通过拉曼光谱法所测量,该sp2碳峰具有不大于背景减法后的所述sp3碳峰的20%高度的幅度。

10.根据权利要求9所述的芯片,其中所述界面区域展现出大于或等于10%的局部背景强度的所述sp3碳峰。

11.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率为至少每秒10吉比特。

12.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率为至少每秒12吉比特。

13.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率是至少每秒14吉比特。

14.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率是至少每秒100吉比特。

15.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率是至少每秒1太比特。

16.根据权利要求1所述的芯片,其中所述频率在从37.5GHz到300GHz的范围内。

17.根据权利要求1所述的芯片,其中所述频率在从37.5GHz到40.5GHz的范围内。

18.根据权利要求1所述的芯片,其中所述芯片包括晶体管,所述晶体管包括所述第二基底。

19.根据权利要求18所述的芯片,其中所述晶体管具有小于40纳米(nm)的特征大小。

20.根据权利要求1所述的芯片,其中所述频率具有至少50MHz的带宽。

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