[发明专利]用于卫星通信的系统和方法在审
申请号: | 201980076011.9 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN113056659A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 费利克斯·伊杰克阿姆;小泰伦·D·米切尔;保罗·索尼埃;丹尼尔·弗朗西斯 | 申请(专利权)人: | 阿卡什系统公司 |
主分类号: | G01J3/40 | 分类号: | G01J3/40;G01N21/65;H03F3/04;H03G3/30;H03G5/24;H01L21/265;H01L29/73 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李健 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 卫星通信 系统 方法 | ||
1.一种用于发射或接收数据的芯片,包括:
包括第一材料的第一基底;和
与所述第一基底相邻的第二基底,所述第二基底包括与所述第一材料不同的第二材料,其中所述第二基底与所述第一基底晶格匹配,以使得所述第一基底与所述第二基底之间的界面区域在约1332cm·1处展现出sp3碳峰,通过拉曼光谱法所测量,该sp3碳峰具有不大于5.0cm·1的半峰全宽,并且
其中所述第一基底和所述第二基底允许所述芯片以至少每秒500兆比特的传送速率和至少8GHz的频率来发射或接收所述数据。
2.根据权利要求1所述的芯片,其中所述芯片包括射频放大器电路。
3.根据权利要求1所述的芯片,其中所述第一基底具有大于约1000W/mK的热导率。
4.根据权利要求3所述的芯片,其中所述第一基底包括金刚石。
5.根据权利要求1所述的芯片,其中所述第二基底是半导体。
6.根据权利要求5所述的芯片,其中所述第二基底包括III-V族半导体。
7.根据权利要求6所述的芯片,其中所述第二基底包括选自由GaN、InGaN、AlGaN和InGaAlN组成的群组中的材料。
8.根据权利要求5所述的芯片,其中所述第二基底包括硅。
9.根据权利要求1所述的芯片,其中所述界面区域在1550cm·1处展现出sp2碳峰,通过拉曼光谱法所测量,该sp2碳峰具有不大于背景减法后的所述sp3碳峰的20%高度的幅度。
10.根据权利要求9所述的芯片,其中所述界面区域展现出大于或等于10%的局部背景强度的所述sp3碳峰。
11.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率为至少每秒10吉比特。
12.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率为至少每秒12吉比特。
13.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率是至少每秒14吉比特。
14.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率是至少每秒100吉比特。
15.根据权利要求1所述的芯片,其中所述传送速率是至少每秒1太比特。
16.根据权利要求1所述的芯片,其中所述频率在从37.5GHz到300GHz的范围内。
17.根据权利要求1所述的芯片,其中所述频率在从37.5GHz到40.5GHz的范围内。
18.根据权利要求1所述的芯片,其中所述芯片包括晶体管,所述晶体管包括所述第二基底。
19.根据权利要求18所述的芯片,其中所述晶体管具有小于40纳米(nm)的特征大小。
20.根据权利要求1所述的芯片,其中所述频率具有至少50MHz的带宽。
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