[发明专利]用于三维与非(3D NAND)应用的膜堆叠覆盖改进

权利要求书

1.一种在基板上形成膜层的方法，包括：

将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；

使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到所述处理腔室，根据所述基板的应力分布，所述喷淋头具有面向所述基板支撑件的凸形表面或面向所述基板支撑件的凹形表面。

通过将RF功率施加到所述喷淋头的多个耦接点而在所述处理腔室中存在所述沉积气体混合物的情况下形成等离子体，所述喷淋头的所述多个耦接点绕所述喷淋头的中心点对称地布置；以及

在旋转所述基板时执行沉积工艺以在所述基板上沉积膜层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含硅气体包括以下各者中的至少一者：硅烷、乙硅烷、四氟化硅、四氯化硅、二氯硅烷和四乙氧基硅烷；并且其中所述反应气体包括以下各者中的至少一者：含氧气体、含氮气体和含碳气体。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过在所述沉积工艺期间调整所述基板支撑件的高度来调节所述基板上方的边到边或前到后的等离子体密度。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过以下步骤使所述沉积气体混合物输送通过设置在所述喷淋头之上的挡板：

如果所述基板的中心区域的压缩应力比所述基板的边缘区域的压缩应力高，则使所述沉积气体混合物流过具有第一密度的所述挡板的中心区域处的孔和具有第二密度的所述挡板的边缘区域处的孔，所述第二密度低于所述第一密度；或者

如果所述基板的所述中心区域的压缩应力比所述基板的所述边缘区域的压缩应力低，则使所述沉积气体混合物流过具有第三密度的所述挡板的所述中心区域处的孔和具有第四密度的所述挡板的所述边缘区域处的孔，所述第四密度高于所述第三密度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述膜层是包含第一膜层与第二膜层的膜堆叠，并且所述第二膜层设置在所述第一膜层上，所述第一膜层与所述第二膜层交替且重复地形成于所述膜堆叠中，并且所述膜堆叠具有小于200μm的局部弯曲(bow)范围，所述第一膜层是氧化硅层，并且所述第二膜层是氮化硅层。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

通过以下步骤调节所述基板上方的等离子体密度：

如果所述基板的中心区域的压缩应力比所述基板的边缘区域处的压缩应力高，则将所述基板支撑件的外部区域处的第一电极保持在第一阻抗，以及将所述基板的内部区域处的第二电极保持在第二阻抗，所述第二阻抗高于该第一阻抗；或者

如果所述基板的所述中心区域的压缩应力比所述基板的所述边缘区域处的压缩应力低，则将所述基板支撑件的所述外部区域处的所述第一电极保持在第三阻抗，以及将所述基板的所述内部区域处的所述第二电极保持在第四阻抗，所述第四阻抗低于所述第三阻抗。

7.一种在基板上形成膜层的方法，包括：

将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上，根据所述基板的应力分布，所述基板支撑件具有凹形基板支撑表面或凸形基板支撑表面；

使包括含硅气体与反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室；

通过将RF功率施加到所述喷淋头的多个耦接点而在所述处理腔室中存在所述沉积气体混合物的情况下形成等离子体，所述喷淋头的所述多个耦接点绕所述喷淋头的中心点对称地布置；以及

在旋转所述基板时执行沉积工艺以在所述基板上沉积膜层。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：

通过在所述沉积工艺期间调整所述基板支撑件的高度来调节所述基板上方的边到边或前到后的等离子体密度。