[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

导电基板，其具有朝向厚度方向的一侧的主面、及朝向与所述主面相反的侧的背面；以及

电接合于所述主面的半导体元件，

所述导电基板包括：分别由层叠石墨烯而成的石墨构成的第一基层及第二基层；以及介于所述第一基层及所述第二基层之间的金属层，

所述第一基层中的所述石墨烯沿相对于所述厚度方向呈直角的第一层叠方向层叠，

所述第二基层中的所述石墨烯沿相对于所述厚度方向呈直角且相对于所述第一层叠方向交叉的第二层叠方向层叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二层叠方向与所述厚度方向及所述第一层叠方向双方呈直角。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属层包括：形成于所述第一基层上的第一金属部；以及形成于所述第二基层上且接合于所述第一金属部的第二金属部。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一金属部与所述第二金属部之间形成有空隙。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一金属部及所述第二金属部的每一个具有：覆盖所述第一基层及所述第二基层的任一个的第一层；以及层叠于所述第一层的第二层，

所述第一金属部的所述第二层和所述第二金属部的所述第二层通过固相扩散互相接合。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一金属部及所述第二金属部的每一个具有夹在所述第一层与所述第二层之间的第三层，

所述第三层的杨氏模量比所述第一层及所述第二层各自的杨氏模量小。

7.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属层介于所述第一金属部及所述第二金属部之间，且包括接合所述第一金属部及所述第二金属部的金属烧成层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一基层及所述第二基层各自的厚度比所述金属层的厚度大。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述导电基板包括：相对于所述第二基层位于与所述第一基层相反的侧且由所述石墨构成的第三基层；以及介于所述第二基层及所述第三基层之间的追加的金属层，

所述第三基层中的所述石墨烯沿与所述第二层叠方向不同的第三层叠方向层叠。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一基层及所述第三基层各自的厚度比所述第二基层的厚度小。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述第三层叠方向与所述第一层叠方向一致。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：具有与所述导电基板的所述背面对置的支撑面的支撑基板，

所述导电基板以所述背面与所述支撑面对置的方式接合于所述支撑基板。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述支撑基板具有：具有电绝缘性的第一支撑板；以及包括所述支撑面且层叠于所述第一支撑板的金属制的第二支撑板。

14.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其特征在于，

所述支撑基板具有朝向与所述支撑面相反的侧的底面，

还具备覆盖所述导电基板及所述半导体元件和所述支撑基板的一部分的密封树脂

所述底面从所述密封树脂露出。