[发明专利]经添加物方式制造的难熔金属构件，添加物方式制造方法及粉末

权利要求书

1.一种构件，具有由至少一种选自包括钼、钼基合金、钨、钨基合金及钼-钨基合金的组中的材料构成的基体相，所述基体相由激光或电子束在添加物方式制造方法中制成，其中钼含量、钨含量或者钼与钨的总含量大于85at％，其特征在于，所述构件含有微粒，所述微粒的熔点高于所述基体相的熔点。

2.如权利要求1所述的构件，其中所述构件中的微粒的含量使得所述基体相具有小于10000平方微米、优选小于5000平方微米、更优选小于2500平方微米的平均晶粒面积。

3.如前述权利要求中至少一项所述的构件，其中所述微粒的平均粒度小于5微米。

4.如前述权利要求中至少一项所述的构件，其中所述构件中的微粒的体积含量介于0.05Vol％与10Vol％之间。

5.如前述权利要求中至少一项所述的构件，其中所述构件至少在一断裂平面内具有包含该断裂面的超过50％的穿晶部分的断裂特性。

6.如前述权利要求中至少一项所述的构件，其中所述构件在所述添加物方式制造方法中沿建构方向制成，且其中在平行于所述建构方向的平面内的平均晶粒延伸小于5。

7.如前述权利要求中至少一项所述的构件，其中所述微粒单独或以任意组合选自某个组，所述组包括：

氧化物，优选ZrO2、HfO2，

碳化物，优选ZrC、NbC、MoC、TiC、TaC、HfC，

氮化物，优选YN、TaN、HfN，

硼化物，优选TaB2、HfB2。

8.如前述权利要求中至少一项所述的构件，其中该构件(8)具有一种或多种合金元素，其

在钼及钼基合金的情形中针对MoO2和/或MoO3，

在钨及钨基合金的情形中针对WO2和/或WO3，且

在钼-钨基合金的情形中针对由MoO2、MoO3、WO2及WO3组成的组中的至少一种氧化物，

至少在≥1500℃的温度范围内起还原作用，其中所述合金元素中的至少一者既以至少部分未氧化的形式存在又以氧化的形式存在。

9.一种制造构件、特别是制造如前述权利要求中至少一项所述的构件的添加物方式制造方法，具有至少如下步骤：

提供由至少一种材料构成的原始粉末，所述材料选自包括钼、钼基合金、钨、钨基合金及钼-钨基合金的组，

由激光或电子束将所述原始粉末的颗粒逐层熔合为一体，从而形成基体相，其中所述基体相中的钼含量、钨含量或者钼与钨的总含量大于85at％，

其特征在于，所述原始粉末：

含有微粒，其熔点高于所述基体相的熔点，以及/或者

含有至少一种用于微粒的前体物质，其中所述微粒的熔点高于所述基体相的熔点，且所述微粒在所述原始粉末的颗粒由激光或电子束逐层熔合为一体时由所述至少一种前体物质产生，以及/或者

含有至少一种成分，所述成分以与工艺气氛的至少一种成分反应的方式在所述原始粉末的颗粒由激光或电子束逐层熔合时形成微粒，所述微粒的熔点高于所述基体相的熔点。

10.如上一权利要求所述的制造方法，其中提供所述原始粉末的所述步骤包括熔化阶段中的球化和/或原料粉末的粒化。

11.如前述两项权利要求中至少一项所述的制造方法，其中所述微粒的平均粒度小于5微米。

12.如前述权利要求中至少一项所述的制造方法，其中所述构件中的微粒的体积含量介于0.05Vol％与10Vol％之间。