[发明专利]用于形成用于MRAM应用的结构的方法

权利要求书

1.一种互连结构，包括：

一个或多个磁性隧道结结构，设置在基板上，所述磁性隧道结结构包括第一铁磁性层和第二铁磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层将隧穿阻挡层夹在中间；

自旋轨道矩(SOT)层，设置在所述磁性隧道结结构上；和

后端结构，设置在所述自旋轨道矩(SOT)层上。

2.如权利要求1所述的互连结构，其中所述磁性隧道结结构进一步包括：

盖顶层，设置在所述第一铁磁性层上，其中所述盖顶层由与所述自旋轨道矩(SOT)层相同的材料所形成。

3.如权利要求2所述的互连结构，其中所述盖顶层的所述材料是CoFeB、MgO、Ta、W、Pt、CuBi、Mo和Ru。

4.如权利要求1所述的互连结构，其中所述后端结构是双镶嵌结构。

5.如权利要求1所述的互连结构，进一步包括：

下互连结构，形成在所述磁性隧道结结构下方。

6.如权利要求5所述的互连结构，其中所述自旋轨道矩(SOT)层使所述后端结构经由所述磁性隧道结结构连接到所述下互连结构。

7.如权利要求5所述的互连结构，其中所述下互连结构连接到所述后端结构。

8.如权利要求1所述的互连结构，其中三个磁性隧道结结构连接到所述SOT层。

9.如权利要求1所述的互连结构，其中所述磁性隧道结结构进一步包括：

种晶层，形成于所述磁性隧道结结构的底部上。

10.如权利要求1所述的互连结构，其中所述磁性隧道结结构进一步包括：

压制的层或耦接层，设置在所述磁性隧道结结构下方。

11.一种形成互连结构的方法，所述方法包括以下步骤：

在基板上形成膜堆叠，所述膜堆叠具有第一铁磁性层和第二铁磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层将隧穿阻挡层夹在中间；

在所述膜堆叠上形成图案化的硬质掩模层；

将所述图案化的硬质掩模层用作蚀刻掩模层来图案化所述膜堆叠；

形成第一绝缘材料以覆盖所述基板上的所述图案化的硬质掩模层和所述膜堆叠；

抛光所述第一绝缘材料，直到所述硬质掩模层的顶面暴露为止；

在所述硬质掩模层的所述顶面上形成自旋轨道矩(SOT)层；和

在所述自旋轨道矩(SOT)层上形成后端互连结构。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述膜堆叠和所述图案化的硬质掩模层结合形成磁性隧道结结构。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述SOT层由与所述图案化的硬质掩模层相同的材料制造。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述SOT层和所述图案化的硬质掩模层由选自由以下项目所组成的群组的材料制造：CoFeB、MgO、Ta、W、Pt、CuBi、Mo和Ru。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述后端互连结构是双镶嵌结构。

16.如权利要求11所述的方法，其中形成所述自旋轨道矩(SOT)层的步骤进一步包括以下步骤：

形成图案化的绝缘层，所述图案化的绝缘层具有暴露所述图案化的硬质掩模层的开口；

在所述开口中形成所述自旋轨道矩(SOT)层。

17.如权利要求16所述的方法，进一步包括以下步骤：

抛光所述自旋轨道矩(SOT)层和所述图案化的绝缘层，使得所述自旋轨道矩(SOT)层的顶面与所述图案化的绝缘层实质共面。