[发明专利]静电过滤器以及使用静电过滤器控制离子束的方法

权利要求书

1.一种设备，包括：

主腔室，所述主腔室包括多个电极；

入口隧道，所述入口隧道具有延伸至所述主腔室中的入口轴线；以及

出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口轴线及所述出口轴线界定束弯曲，所述束弯曲在所述入口轴线与所述出口轴线之间为至少30度。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个电极以不对称配置布置。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个电极界定束路径，其中所述束路径的第一侧上设置有第一电极且其中所述束路径的第二侧上设置有至少三个电极。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述束路径的所述第一侧上设置有仅一个电极。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述入口隧道沿所述主腔室的第一侧设置，且其中所述出口隧道沿所述主腔室的与所述主腔室的所述第一侧相邻的第二侧设置。

6.根据权利要求1所述的设备，还包括等离子体泛射式电子枪，所述等离子体泛射式电子枪包括所述出口隧道，其中所述多个电极自所述等离子体泛射式电子枪的外部不可见。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述入口隧道被设置成沿所述主腔室的第一侧进入所述主腔室，且其中所述出口隧道沿所述主腔室的与所述主腔室的所述第一侧相对的第二侧设置。

8.一种离子植入机，包括：

离子源，用于产生离子束；以及

静电过滤器模块，被设置成接收所述离子束，且包括：

主腔室，所述主腔室包括多个电极；

入口隧道，所述入口隧道具有沿第一方向延伸至所述主腔室中的入口轴线；以及

出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口轴线及所述出口轴线界定束弯曲，所述束弯曲在所述入口轴线与所述出口轴线之间为至少30度。

9.根据权利要求8所述的离子植入机，其中所述多个电极界定束路径，其中所述束路径的第一侧上设置有第一电极且其中所述束路径的第二侧上设置有至少三个电极。

10.根据权利要求9所述的离子植入机，其中所述束路径的所述第一侧上设置有仅一个电极。

11.根据权利要求8所述的离子植入机，其中所述入口隧道沿所述主腔室的第一侧设置，且其中所述出口隧道沿所述主腔室的与所述主腔室的所述第一侧相邻的第二侧设置。

12.根据权利要求8所述的离子植入机，还包括等离子体泛射式电子枪，所述等离子体泛射式电子枪包括所述出口隧道，其中所述多个电极自所述等离子体泛射式电子枪的外部不可见。

13.根据权利要求8所述的离子植入机，其中所述束弯曲在40度至90度之间。

14.一种静电过滤器模块，包括：

主腔室，所述主腔室包括以不对称配置布置的多个电极；

入口隧道，所述入口隧道具有沿第一方向延伸至所述主腔室中的入口轴线；以及

等离子体泛射式电子枪，所述等离子体泛射式电子枪界定出口隧道，所述出口隧道连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口轴线及所述出口轴线界定在所述入口轴线与所述出口轴线之间为至少30度的束弯曲。

15.根据权利要求14所述的静电过滤器，其中所述入口隧道沿所述主腔室的第一侧设置，且其中所述出口隧道沿所述主腔室的与所述主腔室的所述第一侧相邻的第二侧设置。