[发明专利]使用静电过滤器控制离子束的设备以及方法

权利要求书

1.一种设备，包括：

主腔室；

入口隧道，所述入口隧道具有延伸至所述主腔室中的入口轴线；

出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；以及

电极总成，设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径，

其中所述电极总成包括设置于所述束路径的第一侧上的上部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个下部电极，所述多个下部电极包括至少三个电极。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极总成包括仅一个上部电极。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述上部电极包括细长的横截面。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极总成仅设置于所述出口隧道的下侧上。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述上部电极设置于所述出口隧道的下方的第一距离处，且其中所述多个下部电极中的最末电极设置于所述出口隧道的下方的小于所述第一距离的第二距离处。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述入口隧道包括上部部分及下部部分，其中所述下部部分延伸至所述主腔室中的程度较所述上部部分深。

7.一种控制离子束的方法，包括：

沿第一束轨迹将离子束导引至腔室中，所述离子束处于第一电位；

在第一方向上偏转所述离子束，同时将所述离子束加速至第二电位；以及

在与所述第一方向相反的第二方向上偏转所述离子束，同时将所述离子束减速至第三电位，其中所述离子束沿不同于所述第一束轨迹的第二束轨迹离开所述腔室。

8.根据权利要求7所述的控制离子束的方法，其中所述第一束轨迹及所述第二束轨迹界定为25度或小于25度的束弯曲。

9.根据权利要求7所述的控制离子束的方法，其中所述第三电位小于所述第一电位。

10.根据权利要求7所述的控制离子束的方法，其中所述在所述第一方向上偏转所述离子束及所述在所述第二方向上偏转所述离子束包括使用电极总成偏转所述离子束，所述电极总成包括上部电极及多个下部电极。

11.根据权利要求10所述的控制离子束的方法，其中所述离子束包括带状离子束，其中所述电极总成包括沿电极轴线延伸的多个棒，所述电极轴线垂直于所述离子束的传播方向而定向。

12.根据权利要求10所述的控制离子束的方法，还包括导引所述离子束自所述腔室沿出口隧道到达基板，其中所述电极总成设置于所述出口隧道的下方。

13.根据权利要求12所述的控制离子束的方法，还包括在所述腔室内拦截来自所述基板的溅镀粒子，其中所述溅镀粒子不撞击所述电极总成。

14.一种离子植入机，包括

离子源，用于产生离子束；以及

静电过滤器，设置于所述离子源的下游以控制所述离子束，所述静电过滤器包括：

入口隧道，所述入口隧道具有延伸至所述静电过滤器的主腔室中的入口轴线；

出口隧道，连接至所述主腔室且界定出口轴线，其中所述入口隧道及所述出口隧道在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定小于25度的束弯曲；以及

电极总成，设置于所述主腔室中，且在所述入口隧道与所述出口隧道之间界定束路径，其中所述电极总成设置于所述入口隧道的下侧上。

15.根据权利要求14所述的离子植入机，

其中所述电极总成包括设置于所述束路径的第一侧上的上部电极及设置于所述束路径的第二侧上的多个下部电极。