[发明专利]收发开关有效

专利信息
申请号: 201980076566.3 申请日: 2019-11-08
公开(公告)号: CN113169753B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 格瑞特·格罗内沃尔德 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H04B1/44 分类号: H04B1/44;H04B1/58
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡丽平
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 收发 开关
【权利要求书】:

1.一种收发开关,其特征在于,包括:

具有第一绕组和第二绕组的第一变压器,所述第一绕组用于连接到天线;

具有第一绕组和第二绕组的第二变压器,所述第一绕组用于连接到接收电路;

多个晶体管,每个晶体管具有栅极,并且每个晶体管具有耦合至所述第一变压器和所述第二变压器的所述第二绕组的沟道;和

控制电路,所述控制电路用于在发射模式和接收模式下操作所述收发开关,其中所述控制电路针对所述接收模式在每个所述晶体管的所述栅极上设置直流偏置电平,并针对所述发射模式将输入波形施加到每个所述晶体管的所述栅极。

2.根据权利要求1所述的收发开关,其特征在于,在每个所述晶体管的所述栅极上设置所述直流偏置电平包括:将第一晶体管组的栅极设置为低电源电平,并且将第二晶体管组的栅极设置为正向偏置电压,所述多个晶体管包括所述第一晶体管组和所述第二晶体管组。

3.根据权利要求1所述的收发开关,其特征在于,所述输入波形包括第一输入值和第二输入值。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的收发开关,其特征在于,所述多个晶体管包括:

第一晶体管,所述第一晶体管连接在所述第一变压器的所述第二绕组的第一末端抽头和所述第二变压器的所述第二绕组的第一末端抽头之间;

第二晶体管,所述第二晶体管连接在所述第一变压器的所述第二绕组的第二末端抽头和所述第二变压器的所述第二绕组的第二末端抽头之间;

第三晶体管,所述第三晶体管连接在所述第一变压器的所述第二绕组的所述第一末端抽头和所述第二变压器的所述第二绕组的所述第二末端抽头之间;和

第四晶体管,所述第四晶体管连接在所述第一变压器的所述第二绕组的所述第二末端抽头和所述第二变压器的所述第二绕组的所述第一末端抽头之间。

5.根据权利要求4所述的收发开关,其特征在于,在所述接收模式下,所述控制电路还用于:将所述第三晶体管的所述栅极,所述第四晶体管的所述栅极和所述第一变压器的所述第二绕组的中心抽头设置为低电源电平;将所述第一晶体管的所述栅极和所述第二晶体管的所述栅极设置为正向偏置电压;以及将所述第二变压器的所述第二绕组的中心抽头设置为高电源电平。

6.根据权利要求4所述的收发开关,其特征在于,所述输入波形包括第一输入值和第二输入值,并且在所述发射模式下,所述控制电路还用于:将所述第一输入值施加到所述第一晶体管的所述栅极和所述第三晶体管的所述栅极;将所述第二输入值施加到所述第二晶体管的所述栅极和所述第四晶体管的所述栅极;将所述第一变压器的所述第二绕组的中心抽头设置为高电源电平;以及将所述第二变压器的所述第二绕组的中心抽头设置为低电源电平。

7.根据权利要求4所述的收发开关,其特征在于,还包括:

第三变压器,所述第三变压器包括:

初级绕组,所述初级绕组用于接收所述输入波形;

第一次级绕组,所述第一次级绕组连接在所述第一晶体管的所述栅极和所述第二晶体管的所述栅极之间;和

第二次级绕组,所述第二次级绕组连接在所述第三晶体管的所述栅极和所述第四晶体管的所述栅极之间。

8.根据权利要求7所述的收发开关,其特征在于,在所述发射模式下,所述控制电路还用于:将所述第一变压器的所述第二绕组的中心抽头设置为高电源电平;将所述第二变压器的所述第二绕组的中心抽头设置为低电源电平;以及将所述第三变压器的所述第一次级绕组的中心抽头和所述第三变压器的所述第二次级绕组的中心抽头设置为正向偏置电压。

9.根据权利要求7和8中任一项所述的收发开关,其特征在于,在所述接收模式下,所述控制电路还用于:将所述第一变压器的所述第二绕组的中心抽头和所述第三变压器的所述第二次级绕组的中心抽头设置为低电源电平;将所述第二变压器的所述第二绕组的中心抽头设置为高电源电平;以及将所述第三变压器的所述第一次级绕组的中心抽头设置为正向偏置电压。

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