[发明专利]具有凹槽的扇出型封装件

说明书

一种将包括第一半导体管芯(120)的扇出型封装件与第二半导体管芯(110)集成的系统。在一些实施方案中，所述扇出型封装件包括第一半导体管芯(120)、在至少两侧上覆盖所述第一半导体管芯的模塑料(305)以及在所述第一半导体管芯的下表面上的电触头。所述扇出型封装件可以具有沿着所述扇出型封装件的下边缘的一部分的槽口(315)。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年11月21日提交的标题为“FAN-OUT PACKAGE WITH RABBET”的美国临时申请第62/770,500号的优先权和权益，所述申请的全部内容以引用的方式并入文本。

技术领域

根据本公开的实施方案的一个或多个方面涉及封装，并且更具体地涉及具有槽口的扇出型封装件。

背景技术

在将光电子装置连接到电子集成电路的应用中，尤其是在高速应用中，将各部分紧密地定位在一起以使它们之间的电气路径可能短可能是有利的。例如，如果电子集成电路的封装件具有比电子集成电路管芯大得多的包络，并且如果在光电子装置和电子集成电路的封装件之间存在潜在的机械干扰，则这可能是挑战性的。

因此，需要用于集成光电子装置和电子集成电路的改进的系统和方法。

发明内容

根据本发明的实施方案，提供了一种系统，其包括：扇出型封装件，其包括：第一半导体管芯；模塑料，其在至少两侧上覆盖所述第一半导体管芯；以及在所述第一半导体管芯的下表面上的电触头，所述扇出型封装件具有沿着所述扇出型封装件的下边缘的一部分的槽口。

在一些实施方案中，所述槽口的竖直深度在10微米和500微米之间。

在一些实施方案中，所述槽口的水平深度在10微米和500微米之间。

在一些实施方案中，所述扇出型封装件还包括重分布层，所述重分布层在所述扇出型封装件的下表面上。

在一些实施方案中，所述槽口的竖直表面的一部分是所述重分布层的边缘表面。

在一些实施方案中，所述槽口不延伸到所述第一半导体管芯中。

在一些实施方案中，所述系统还包括：第二半导体管芯；以及共享支撑元件，所述第二半导体管芯和所述扇出型封装件二者都固定到所述共享支撑元件的上表面。

在一些实施方案中，所述系统还包括在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间的导电路径，所述导电路径的长度小于200微米。

在一些实施方案中，所述第二半导体管芯与所述扇出型封装件之间的间隙为至少2微米。

在一些实施方案中，所述第二半导体管芯与所述扇出型封装件之间的间隙为至多100微米。

在一些实施方案中，所述第二半导体管芯的上边缘延伸到所述槽口中。

在一些实施方案中，所述系统还包括在所述扇出型封装件和所述共享支撑元件之间的一层底部填充物，所述一层底部填充物水平地延伸到所述第二半导体管芯。

在一些实施方案中，所述底部填充物不比所述第二半导体管芯的最远离所述扇出型封装件的部分从所述扇出型封装件延伸得更远。

根据本发明的实施方案，提供了一种用于制造扇出型封装件的方法，所述方法包括：制造载体，所述载体包括：一层模塑料；嵌入在所述模塑料中的多个半导体管芯；以及在所述半导体管芯和所述模塑料上的重分布层；在所述载体中切割第一通道，所述第一通道具有第一宽度和第一深度，并且在所述多个半导体管芯的第一半导体管芯和所述多个半导体管芯的第二半导体管芯之间延伸；以及在所述载体中所述第一通道内切割第二通道，所述第二通道具有小于所述第一宽度的第二宽度和从所述载体的上表面起的大于所述第一深度的第二深度。