[发明专利]硫族化物存储器装置组件和组合物在审
申请号: | 201980077144.8 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN113169271A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | E·瓦雷西;P·凡蒂尼;L·弗拉汀;S·A·伦加德 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 彭晓文 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫族化物 存储器 装置 组件 组合 | ||
1.一种物质组合物,其包括:
大于或等于所述组合物的40原子%at.%的量的硒;
在所述组合物的从8at.%到35at.%的范围内的量的锗;和
选自由以下组成的群组的至少一种元素:硼、铝、镓、铟和铊,所述元素的量在所述组合物的从1at.%到15at.%的范围内。
2.根据权利要求1所述的组合物,其另外包括:
小于或等于所述组合物的30at.%的量的砷。
3.根据权利要求1所述的组合物,其另外包括:
小于或等于所述组合物的1at.%的量的砷。
4.根据权利要求1所述的组合物,其中所述组合物不包含砷。
5.根据权利要求1所述的组合物,其中所述锗的量在所述组合物的从20at.%到35at.%的范围内。
6.根据权利要求1所述的组合物,其中选自所述群组的所述至少一种元素包括在所述组合物的从1at.%到15at.%的范围内的量的铟。
7.根据权利要求1所述的组合物,其中选自所述群组的所述至少一种元素包括在所述组合物的从1at.%到15at.%的范围内的量的硼。
8.根据权利要求1所述的组合物,其中选自所述群组的所述至少一种元素包括在所述组合物的从1at.%到15at.%的范围内的量的铝。
9.根据权利要求1所述的组合物,其中选自所述群组的至少一种元素包括在所述组合物的从1at.%到15at.%的范围内的量的镓。
10.根据权利要求1所述的组合物,其中选自所述群组的至少一种元素包括在所述组合物的从1at.%到15at.%的范围内的量的铊。
11.一种设备,其包括:
存储器单元,其包括硫族化物材料,所述硫族化物材料包括:
大于或等于所述硫族化物材料的40原子%at.%的量的硒;
在所述硫族化物材料的从8at.%到35at.%的范围内的量的锗;和
选自由以下组成的群组的至少一种元素:硼、铝、镓、铟和铊,所述元素的量在所述硫族化物材料的从1at.%到15at.%的范围内。
12.根据权利要求11所述的设备,其中所述硫族化物材料包括:
小于或等于所述硫族化物材料的30at.%的量的砷。
13.根据权利要求11所述的设备,其中所述硫族化物材料不包含砷。
14.根据权利要求11所述的设备,其中所述锗的量在所述硫族化物材料的从20at.%到35at.%的范围内。
15.根据权利要求11所述的设备,其中选自所述群组的所述至少一种元素包括在所述硫族化物材料的从1at.%到15at.%的范围内的量的铟。
16.一种设备,其包括:
第一存取线;
第二存取线;和
存储器单元,其包含包括硒、锗以及硼、铝、镓、铟或铊中的至少一个的第一硫族化物材料,其中所述第一存取线经由所述存储器单元与所述第二存取线电子通信。
17.根据权利要求16所述的设备,其中所述第一硫族化物材料包括:
大于或等于所述第一硫族化物材料的40原子%at.%的量的所述硒;
在所述第一硫族化物材料的从8at.%到35at.%的范围内的量的所述锗;和
硼、铝、镓、铟或铊中的所述至少一个,其具有在所述第一硫族化物材料的从1at.%到15at.%的范围内的量。
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