[发明专利]气体喷嘴和气体喷嘴的制造方法以及等离子体处理装置有效
申请号: | 201980077166.4 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN113165139B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 野口幸雄;左桥知也 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | B24B31/00 | 分类号: | B24B31/00;C04B35/50;H01L21/3065;H01L21/31;B05B15/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴克鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 喷嘴 制造 方法 以及 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种气体喷嘴,其具备引导气体的管状的供给孔、和连接于该供给孔且与所述供给孔相比直径小的喷射孔,是从该喷射孔喷射所述气体的、以稀土元素的氧化物、氟化物或氧氟化物为主成分,或以钇铝复合氧化物为主成分的陶瓷或单晶所形成的气体喷嘴,其中,关于形成所述供给孔的内周面的算术平均粗糙度Ra,所述气体的流出侧一方比流入侧小,
所述内周面的算术平均粗糙度Ra从所述气体的流入侧朝向流出侧逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的气体喷嘴,其中,从所述气体的流入侧朝向流出侧的、所述算术平均粗糙度Ra的逐渐减小,是指数函数的或一次函数的。
3.根据权利要求1或2所述的气体喷嘴,其中,所述气体的流入侧的所述算术平均粗糙度Ra为2.5μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的气体喷嘴,其中,所述内周面的算术平均粗糙度Ra的偏度Sk为0以上。
5.根据权利要求1或2所述的气体喷嘴,其中,在所述供给孔与所述喷射孔之间具备临时储存所述气体的环状的存储部。
6.一种权利要求1~5中任一项所述的气体喷嘴的制造方法,其中,包括:
对于以稀土元素的氧化物、氟化物或氧氟化物为主成分,或者以钇铝复合氧化物为主成分的颗粒进行加压成形而得到成形体的工序;
对于所述成形体实施切削加工,得到形成有供给孔用导孔和与所述供给孔用导孔相比直径小的喷射孔用导孔的前驱体的工序;
将所述前驱体进行烧成而得到烧结体的工序;
通过磨粒流研磨法对所述烧结体的至少形成所述供给孔的内周面进行研磨,从而使所述内周面的算术平均粗糙度Ra从所述气体的流入侧朝向流出侧逐渐减小的工序。
7.一种权利要求1~5中任一项所述的气体喷嘴的制造方法,其中,包括:
对于以稀土元素的氧化物、氟化物或氧氟化物为主成分,或者以钇铝复合氧化物为主成分的颗粒进行加压成形而得到成形体的工序;
得到前驱体的工序,其中,所述前驱体是使用具有设有螺旋状的槽的第一刀柄的第一切削工具,在所述成形体上形成供给孔用导孔和与所述供给孔用导孔相比直径小的喷射孔用导孔后,使用在第二刀柄的前端侧安装有与第二刀柄的直径相比具有大直径的圆板状的刀片的第二切削工具,对于至少形成供给孔用导孔的内周面进行切削加工从而使所述内周面的算术平均粗糙度Ra从所述气体的流入侧朝向流出侧逐渐减小而得到;
烧成所述前驱体而得到烧结体的工序。
8.一种权利要求1~5中任一项所述的气体喷嘴的制造方法,其中,包括:
培养以稀土元素的氧化物、氟化物或氧氟化物为主成分,或者以钇铝复合氧化物为主成分的圆柱状的单晶锭块的工序;
对于所述单晶锭块实施珩磨加工、超声波旋转加工或磨削加工而形成所述供给孔和与所述供给孔相比直径小的所述喷射孔的工序;
运用磨粒流研磨法对所述单晶锭块的至少形成所述供给孔的内周面进行研磨从而使所述内周面的算术平均粗糙度Ra从所述气体的流入侧朝向流出侧逐渐减小的工序。
9.一种等离子体处理装置,其中,包含权利要求1~5中任一项所述的气体喷嘴。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980077166.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。