[发明专利]金属膜、以及溅射靶

说明书

本发明中，Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。

技术领域

本发明例如涉及一种用作反射膜、电极膜、布线膜的金属膜，及在形成该金属膜时所使用的溅射靶。

本申请主张基于2018年12月5日于日本申请的专利申请2018-228365号优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

例如，作为液晶显示器或有机EL显示器、触摸面板等显示装置的反射膜、电极膜、布线膜，例如提出有如专利文献1所示般使用由Ag或Ag合金构成的金属膜。

并且，在专利文献2～4中，提出设为透明导电氧化物膜与由Ag或Ag合金构成的金属膜的层叠构造的层叠膜。

上述的反射膜、电极膜、布线膜中，如上述的专利文献1～4所示般，例如通过使用蚀刻液的湿蚀刻处理(以下称为蚀刻处理)来形成规定的图案形状。

在此，通常在对由Ag或Ag合金构成的金属膜进行蚀刻处理的情况下，例如使用PAN(磷酸+硝酸+乙酸)这类的含硝酸的蚀刻液。

不过，在对由Ag或Ag合金构成的金属膜利用含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理的情况下，Ag的溶解速度非常快，因此有时会变得难以高精度地控制蚀刻状态。

并且，在对透明导电氧化物膜与金属膜的层叠膜利用含硝酸的蚀刻液进行蚀刻处理的情况下，在透明导电氧化物膜及金属膜的蚀刻速率差距大，而有导致金属膜被过蚀刻，并无法高精度地形成蚀刻后的图案形状这类问题。

在此，专利文献2中提出通过使用草酸蚀刻液来抑制金属膜的过蚀刻的方法。

并且，在专利文献3、4中提出有如下方法：通过规定透明导电氧化物膜的组成，从而减小透明导电氧化物膜与金属膜的蚀刻速率的差，来抑制金属膜的过蚀刻。

专利文献1：日本国特开2006-028641号公报(A)

专利文献2：日本国特许第6020750号公报(B)

专利文献3：日本国特开2017-179594号公报(A)

专利文献4：日本国特开2017-183274号公报(A)

不过，对由Ag或Ag合金构成的金属膜进行蚀刻处理的工序中，如上所述从以往广泛使用PAN等含硝酸的蚀刻液，因此可能会需要使用含硝酸的蚀刻液而高精度地进行蚀刻处理。

并且，根据对层叠膜所要求的特性，有时会无法适用专利文献3、4中记载的透明导电氧化物膜。

因此，即使在使用PAN等含硝酸的蚀刻液的情况下，也需要可抑制蚀刻速率的金属膜。

发明内容

本发明是鉴于前述情况而完成的，目的在于提供一种即使使用含硝酸的蚀刻液的情况下也可抑制蚀刻速率，而可高精度地进行蚀刻处理的金属膜、及在形成该金属膜时所使用的溅射靶。

为解决上述的课题，本发明人等深入研究的结果，得到了如以下的见解。

在使用含硝酸的蚀刻液对由Ag或Ag合金构成的金属膜进行蚀刻处理时，进行Ag的溶解反应与硝酸的还原反应。此时，若硝酸的还原反应被促进，则Ag的溶解反应也被促进，且金属膜的蚀刻速率会变快。因此，通过限制硝酸的还原反应中作为催化剂起作用的Pd、Pt、Au、Rh这类元素的含量，即使使用含硝酸的蚀刻液也可抑制金属膜的蚀刻速率。