[发明专利]滤光面板及包括其的光伏发电模块在审
申请号: | 201980077318.0 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN113169235A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 卓成柱;白建勋;金埈弘;崔允桢;朴智详 | 申请(专利权)人: | 株式会社POSCO;浦项产业科学研究院 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/048 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 滤光 面板 包括 发电 模块 | ||
1.一种滤光面板,其特征在于,包括:
成型层部;
图案层部,所述图案层部形成有供光源的发射光和透射到观察者的视线光进入的入射面和作为所述入射面相反面的接受面,且所述成型层部在所述入射面上邻接地层叠配置,所述图案层部调整所述发射光与所述视线光的光路径;及
滤光层部,所述滤光层部在形成有所述视线光的入射面的所述图案层部的下方入射面形成,所述下方入射面供所述视线光从平行于地面的基准线的下方区域进入,借助于镜面反射而使入射到所述下方区域的所述视线光的可见光线反射率大于所述基准线上方区域,而使所述视线光的红外线透过。
2.根据权利要求1所述的滤光面板,其特征在于,
所述滤光层部以使红外线透过而全体可见光线或只有可见光线的特定波长进行镜面反射的包含镁(Mg)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、锌(Zn)、铬(Cr)、铂(Pt)、钯(Pd)及铁(Fe)中至少某一种金属离子的花青染料材料形成。
3.根据权利要求1所述的滤光面板,其特征在于,
所述滤光层部以包括使可见光线进行镜面反射的作为铁磁性体的反射球的树脂形成,且对以熔融状态涂覆于所述下方入射面的树脂上施加电磁力,在所述反射球配置于与所述成型层部相向的外面部的状态下固化形成。
4.根据权利要求1所述的滤光面板,其特征在于,
所述图案层部包含聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚醚醚酮、三乙酰纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯及聚乙烯醇中至少一种。
5.根据权利要求1所述的滤光面板,其特征在于,
所述图案层部包括上方入射面,所述上方入射面与以所述基准线为基准朝向下方区域倾斜且以平面形态形成的所述下方入射面相接,以所述基准线为基准面向上方区域。
6.一种光伏发电模块,其特征在于,包括:
权利要求5的滤光面板;及
太阳能电池,所述太阳能电池的一面配置于所述接受面侧,通过电池受光面接受传递所述发射光而产生电力。
7.根据权利要求6所述的光伏发电模块,其特征在于,
所述图案层部以折射率小于所述成型层部的材料形成,在所述上方入射面形成有相对于所述上方区域凸出形成的凸出部,使得向面积大于所述上方入射面地形成的所述电池受光面传递的光扩散。
8.根据权利要求6所述的光伏发电模块,其特征在于,
所述图案层部以折射率大于所述成型层部的材料形成,在所述上方入射面形成有相对于所述上方区域凸出形成的凸出部,使得向面积小于所述上方入射面地形成的所述电池受光面传递的光集中。
9.根据权利要求7或8所述的光伏发电模块,其特征在于,
在所述上方入射面形成多个所述凸出部。
10.根据权利要求6所述的光伏发电模块,其特征在于,
所述图案层部以折射率大于所述成型层部的材料形成,在所述上方入射面形成有相对于所述上方区域凹陷形成的凹陷部,使得向面积大于所述上方入射面地形成的所述电池受光面传递的光扩散。
11.根据权利要求6所述的光伏发电模块,其特征在于,
所述图案层部以折射率小于所述成型层部的材料形成,在所述上方入射面形成有相对于所述上方区域凹陷形成的凹陷部,使得向面积小于所述上方入射面地形成的所述电池受光面传递的光集中。
12.根据权利要求10或11所述的光伏发电模块,其特征在于,
在所述上方入射面形成多个所述凹陷部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社POSCO;浦项产业科学研究院,未经株式会社POSCO;浦项产业科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980077318.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的