[发明专利]在图案化和未图案化的基板上的沉积膜的顺序沉积和高频等离子体处理在审

专利信息
申请号: 201980077353.2 申请日: 2019-11-08
公开(公告)号: CN113169022A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: V·V·瓦茨;H·俞;P·A·克劳斯;S·G·卡马斯;W·J·杜兰德;L·C·卡鲁塔拉格;A·B·玛里克;李昌陵;D·帕德希;M·J·萨利;T·C·楚;M·A·巴尔西努 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;C23C16/458
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 图案 基板上 沉积 顺序 高频 等离子体 处理
【权利要求书】:

1.一种在基板上沉积膜的方法,包括:

在第一处理空间中以沉积工艺在所述基板的表面之上形成氮化硅膜;以及

在第二处理空间中处理所述膜,其中处理所述膜包括:将所述膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体,其中所述等离子体的壳层电势小于100V,并且其中所述高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一沉积工艺包括化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、原子层沉积(ALD)或等离子体增强ALD(PEALD)。

3.如权利要求1所述的方法,其中所述沉积工艺包括:

将包括硅的膜沉积到所述基板的所述表面上;

对所述包括硅的膜进行原位等离子体处理,其中所述等离子体处理包括等离子体,所述等离子体包括氮和氦以形成所述氮化硅膜;以及

脉冲等离子体蚀刻。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述第一处理空间和所述第二处理空间在同一工具中。

5.如权利要求1所述的方法,其中所述第一处理空间和所述第二处理空间在不同的工具中。

6.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

顺序地重复在所述第一处理空间中在所述基板的所述表面之上形成所述氮化硅膜以及在第二处理空间中处理所述氮化硅膜的所述操作,直到获得期望的膜厚度。

7.如权利要求6所述的方法,其中在所述基板的所述表面之上形成所述氮化硅膜的每次迭代使所述氮化硅膜的厚度增加小于约1nm。

8.如权利要求6所述的方法,其中所述期望的膜厚度为50nm或更小。

9.如权利要求1所述的方法,其中所述基板是图案化的基板。

10.如权利要求1所述的方法,其中所述基板是未图案化的基板。

11.如权利要求1所述的方法,其中所述模块化的高频等离子体源包括:

多个高频等离子体源模块,其中每个高频等离子体源模块包括:

振荡器模块,其中所述振荡器模块包括:

电压控制电路;以及

压控振荡器;

放大模块,其中所述放大模块耦接至所述振荡器模块;以及

施加器,其中所述施加器耦接至所述放大模块。

12.如权利要求11所述的方法,其中所述高频是0.1MHz至300GHz。

13.一种形成高质量的氮化硅膜的方法,包括:

(a)在第一处理空间中以等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板的表面之上沉积包括硅的膜;

(b)用第一RF等离子体原位处理所述包括硅的膜,其中所述第一RF等离子体包含氮和氦以形成氮化硅膜;

(c)用第二RF等离子体蚀刻所述氮化硅,其中所述第二RF等离子体包括氟、氯、氮和碳中的一种或多种;以及

(d)用微波等离子体处理所述氮化硅膜,其中所述微波等离子体由模块化微波等离子体源引起。

14.如权利要求13所述的方法,其中将操作(a)、(b)、(c)和(d)中的一者或多者重复多次。

15.如权利要求13所述的方法,其中在实施操作(d)之前,可将操作(a)、(b)和(c)中的一者或多者重复多次。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980077353.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code