[发明专利]离子产生装置、放电基板以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201980077368.9 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN113169528B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 大江信之;江崎哲也;冈野哲之 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01T19/04 分类号: H01T19/04;H01T23/00
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 离子 产生 装置 放电 以及 电子设备
【说明书】:

离子产生装置(11)包括:放电电极基板(2),安装有放电电极(5、6),并形成有分别连接到放电电极(5、6)的面电极(7、8);感应电极基板(3),形成有兼用作在与放电电极(5、6)之间产生放电的感应电极的复合电极(9、10);及绝缘树脂(4),至少填充在放电电极(5、6)与复合电极(9、10)之间,将放电电极(5、6)与复合电极(9、10)绝缘。面电极(7、8)以及复合电极(9、10)以分别至少一部分对向的方式配置。由面电极(7、8)、复合电极(9、10)、及介于面电极(7、8)和复合电极(9、10)之间的绝缘树脂(4)形成电容器(21、22)。

技术领域

本发明是关于离子产生装置。

背景技术

离子产生装置是以变压器将交流的输入电压升压,通过进一步在整流以及平滑后施加至放电电极而产生高压放电,由此产生离子。

例如,在专利文献1中,公开有设置有为了上述的平滑的高压电容器的离子产生装置。另外,在专利文献2中,公开有通过电容器使从变压器输出的脉冲电压的波形平缓而将脉冲电压的峰值变低的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本公开特许公报“特开2001-338743号(2001年12月7日公开)”

专利文献2:日本特许公报“第5234762号(2013年7月10日公告)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

由于高压电容器是大型的,在基板上的占有面积大,且高价。另外,高压电容器在作为芯片部件装入离子产生装置的情况,在基板上的配置位置被限制。

本发明的一方案以不需要作为部件的电容器为目的。

解决问题的方案

为了解决上述的课题,本发明的一方案的离子产生装置,包括:放电电极基板,安装有放电电极,并形成了连接到所述放电电极的第一电极;感应电极基板,形成有在与所述放电电极之间产生放电的感应电极以及连接到所述感应电极的第二电极;及绝缘树脂,至少填充在所述放电电极与所述感应电极之间,将所述放电电极与所述感应电极绝缘;其中所述第一电极以及所述第二电极以至少一部分对向的方式配置;由所述第一电极、所述第二电极、及介于所述第一电极和所述第二电极之间的所述绝缘树脂形成电容器。

发明效果

根据本发明的一方案,能够不需要作为部件的电容器。

附图说明

图1(a)是表示本发明的实施方式1的离子产生装置的构成的平面图,(b)是(a)的A-A线方向看的剖面图。

图2(a)是表示上述离子产生装置的感应电极基板的构成的仰视图,(b)是表示上述离子产生装置的放电电极基板的构成的俯视图,(c)是表示形成在上述放电电极基板的面电极与设置在上述感应电极基板的复合电极的在与上述感应电极基板以及上述放电电极基板的面垂直的方向重叠的重叠区域的图。

图3是表示上述离子产生装置的电路构成的电路图。

图4是表示实施方式1的变形例的离子产生装置的一部分的构成的纵剖面图。

图5是表示本发明的实施方式2的离子产生装置的一部分的构成的纵剖面图。

图6是表示本发明的实施方式2的其他离子产生装置的一部分的构成的纵剖面图。

图7是表示本发明的实施方式2的另一其他离子产生装置的一部分的构成的纵剖面图。

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