[发明专利]互连结构

权利要求书

1.一种微电子组件，包括：

第一衬底，具有键合表面，所述第一衬底的所述键合表面具有平坦的形貌；

第一导电互连结构和第二导电互连结构，被嵌入在所述第一衬底中并且在所述第一衬底的所述键合表面处暴露，所述第二导电互连结构在所述键合表面处具有比所述第一导电互连结构更大的表面积；

第一凹进部分，被布置在所述第一导电互连结构的表面中；以及

第二凹进部分，被布置在所述第二导电互连结构的表面中，所述第二凹进部分具有比所述第一凹进部分大的体积，所述第一凹进部分至少部分地填充有第一嵌入层的第一部分，并且所述第二凹进部分至少部分地填充有第一嵌入层的第二部分，所述第一导电互连结构比所述第一嵌入层的所述第一部分更宽，并且所述第二导电互连结构比所述第一嵌入层的所述第二部分更宽。

2.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括：第二衬底，具有键合表面，所述第二衬底的所述键合表面具有平坦的形貌，并且在没有粘合剂的情况下被直接键合到所述第一衬底的所述键合表面；以及

第一导电互连结构和第二导电互连结构，被嵌入在所述第二衬底中并且在所述第二衬底的所述键合表面处暴露，所述第二衬底的所述第二导电互连结构在所述键合表面处具有比所述第二衬底的所述第一导电互连结构更大的表面积，所述第二衬底的所述第一导电互连结构被直接键合到所述第一衬底的所述第一导电互连结构，并且所述第二衬底的所述第二导电互连结构被直接键合到所述第一衬底的所述第二导电互连结构。

3.根据权利要求2所述的微电子组件，还包括：第一凹进部分，被布置在所述第二衬底的所述第一导电互连结构的表面中；以及第二凹进部分，被布置在所述第二衬底的所述第二导电互连结构的表面中，所述第二衬底的所述第一凹进部分和所述第二凹进部分至少部分地填充有第二嵌入层，所述第二嵌入层在没有粘合剂的情况下被直接键合到所述第一嵌入层。

4.根据权利要求3所述的微电子组件，其中所述第一衬底和所述第二衬底的所述第一导电互连结构形成第一导电互连，并且所述第一衬底和所述第二衬底的所述第二导电互连结构形成第二导电互连，并且其中所述第一衬底和所述第二衬底的所述第一凹进部分在所述第一导电互连内形成第一腔，并且所述第一衬底和所述第二衬底的所述第二凹进部分在所述第二导电互连内形成第二腔，所述第一腔和所述第二腔完全衬有所述第二嵌入层和所述第一嵌入层。

5.根据权利要求4所述的微电子组件，其中所述第二腔的体积大于所述第一腔的体积。

6.根据权利要求2所述的微电子组件，其中所述第一衬底和所述第二衬底的所述第二导电互连结构具有大于5微米的表面宽度尺寸。

7.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括在所述第一衬底的所述第一和/或第二导电互连结构的周界内、在所述第一衬底的所述第一和/或第二导电互连结构的所述表面中的一个或多个腔，所述一个或多个腔填充有所述第一嵌入层。

8.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述第一嵌入层包括含硅材料。

9.根据权利要求8所述的微电子组件，其中所述含硅材料包括SiC、SiC/SiO₂、SiN/SiO₂或硅化物。

10.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述第一嵌入层包括导电材料，所述第一嵌入层的导电材料不同于所述第一导电互连结构和所述第二导电互连结构的材料。

11.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述第一嵌入层的材料的熔点或热膨胀系数大于所述第一导电互连结构的材料的熔点或热膨胀系数。