[发明专利]3D NAND的预测升压

权利要求书

1.一种用于三维NAND的升压方法，包括：

向存储器块发出编程命令；

分配初始位线偏置；

确定正被编程的字线；

在所述字线低于或处于字线阈值的情况下，使用所述初始位线偏置在所述字线处对存储器单元进行编程，所述字线阈值被设置为某一值，低于所述值，存储器单元没有编程干扰，并且高于所述值，所述存储器单元具有编程干扰；以及

在所述字线高于所述字线阈值的情况下，将位线偏置增加到升压的位线偏置并且然后使用所述增加的位线偏置在所述字线处对所述存储器单元进行编程，所述增加的位线偏置大于所述初始位线偏置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述字线高于所述字线阈值的情况下，增加位线偏置包括在施加增加的位线电压时增加预充电时间。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括针对大于所述字线阈值的所有字线，使用所述增加的位线偏置和所述增加的预充电时间重复所述存储器单元的所述编程。

4.根据权利要求3所述的方法，其中增加所述位线偏置包括在高于所述字线阈值的情况下进行编程期间使所述位线上的所述电压加倍。

5.根据权利要求4所述的方法，其中增加所述预充电时间包括使所述预充电时间增加了一数量级。

6.根据权利要求5所述的方法，其中发出所述编程命令允许更靠近硅基板的更低存储器单元比相同的竖直串中的更高存储器单元更快地被编程。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述字线阈值为所述字线的约三分之二。

8.根据权利要求7所述的方法，其中执行擦除验证包括在目标电压达到第二端处之后执行擦除。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括通过对超过检测电压的存储器单元进行计数来设置所述字线阈值，并且当多个存储器单元超过所述检测电压时，将与所述存储器单元相关联的所述字线指定为所述字线阈值。

10.一种用于三维NAND的升压方法，包括：

向存储器块发出编程命令，其中多个竖直地连接的存储器单元与位线相关联；

分配初始位线偏置；

确定正被编程的字线；

对所述字线上低于检测电压的存储器单元数量进行计数；

在所述存储器单元数量低于计数阈值的情况下，使用所述初始位线偏置在所述字线处对存储器单元进行编程；以及

在所述存储器单元数量高于所述计数阈值的情况下，将位线偏置增加到升压的位线偏置并且然后使用所述增加的位线偏置在所述字线处对所述存储器单元进行编程，所述增加的位线偏置大于所述初始位线偏置。

11.根据权利要求10所述的方法，其中增加位线偏置包括在所述存储器单元数量超过所述计数阈值之后，针对每个后续字线增加所述位线偏置。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述字线处进行编程之后，步进到下一字线并且重复计数步骤和编程步骤。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述计数阈值是在所述字线上的总存储器单元的约八分之一。

14.根据权利要求10所述的方法，其中在所述存储器单元数量高于所述计数阈值的情况下，增加位线偏置包括在施加增加的位线电压时增加预充电时间。

15.根据权利要求14所述的方法，其中增加所述位线偏置包括在高于单元阈值的情况下进行编程期间将设定值添加到所述位线上的所述电压。

16.根据权利要求15所述的方法，其中增加所述预充电时间包括使所述预充电时间增加了一设定值。