[发明专利]磁传感器单元

说明书

磁传感器单元具备：磁体；磁传感器，被配置为与磁体的下表面对置；磁屏蔽件，被配置为在与磁传感器的上下方向交叉的侧方向，包围磁传感器；和磁轭，覆盖磁体的上表面和侧面。磁体具有：在上下方向被磁化的第1磁化区域、在与第1磁化区域相反的方向被磁化的第2磁化区域。第1和第2磁化区域在磁体的下表面分别形成第1磁极和第2磁极。从第1磁极的中心到第2磁极的中心的距离LA、从第1磁极的中心到磁屏蔽件的距离LB、从第2磁极的中心到磁屏蔽件的距离LC满足LA＜LB+LC的关系。该磁传感器单元具有磁屏蔽性并且小型。

技术领域

本公开涉及用于对旋转轴的旋转角进行检测的磁传感器单元。

背景技术

对旋转轴的旋转角进行检测的磁传感器单元为了抑制外部磁场的影响而具备磁屏蔽件。例如，在专利文献1中，公开了在磁体配置磁轭来得到磁通密度增加和磁屏蔽效果的构造。在专利文献2中，公开了设置有覆盖磁体、磁传感器的屏蔽壳体的结构。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-263585号公报

专利文献2：日本特开平2-99823号公报

发明内容

磁传感器单元具备：磁体；磁传感器，被配置为与磁体的下表面对置；磁屏蔽件，在与磁传感器的上下方向交叉的侧方向包围磁传感器；和磁轭，覆盖磁体的上表面和侧面。磁体具有在上下方向磁化的第1磁化区域、在与第1磁化区域相反的方向磁化的第2磁化区域。第1磁化区域和第2磁化区域在磁体的下表面分别形成第1和第2磁极。从第1磁极的中心到第2磁极的中心的距离LA、从第1磁极的中心到磁屏蔽件的距离LB、从第2磁极的中心到磁屏蔽件的距离LC满足LA＜LB+LC的关系。

该磁传感器单元具有磁屏蔽性并且小型。

附图说明

图1是实施方式中的磁传感器单元的示意剖视图。

图2是实施方式中的磁传感器单元的磁传感器的剖视图。

图3是图2所示的磁传感器的电路模块的框图。

图4是表示图2所示的磁传感器的控制电路中的信号处理动作的图。

图5是表示各种磁传感器的磁场强度与角度精度的关系的图。

图6是实施方式中的磁传感器单元的磁体的仰视图。

图7是图6所示的磁体的线VII-VII处的剖视图。

图8是表示实施方式中的磁体的磁场分布的图。

图9是表示实施方式中的磁体的下表面的磁密度分布的图。

图10是表示实施方式中的磁体的磁化方法的图。

图11是表示实施方式中的装配有磁轭的磁体的磁场分布的图。

图12是图1所示的磁传感器单元的放大剖视图。

图13是实施方式中的其他磁传感器单元的放大剖视图。

具体实施方式

以下，使用附图来对本公开的实施方式所涉及的磁传感器单元进行说明。另外，以下说明的实施方式均表示本公开的优选的一具体例。因此，以下的实施方式所示的形状、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不是旨在限定本公开。因此，针对以下的实施方式中的结构要素之中、未记载于表示本发明的最上位概念的独立权利要求的结构要素，说明为任意的结构要素。

此外，各附图是示意图，未必是严格进行图示的附图。各附图中，针对实质相同的构造赋予相同的符号，将重复的说明省略或者简化。