[发明专利]半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，该半导体元件的制造方法在半导体基板上以2个水平以上的不同杂质浓度形成相同类型的杂质扩散层区域，其中，

至少1个水平以上的杂质扩散层区域通过包括下述工序的方法来形成，该工序为：将杂质扩散组合物(a)涂布至半导体基板而部分地形成杂质扩散组合物膜(b)的工序；和将杂质扩散组合物膜(b)加热以使杂质扩散至半导体基板中而形成杂质扩散层区域(c)的工序，

杂质扩散组合物(a)包含：

(a-1)下述通式(1)所示的硅烷化合物的聚合物；和

(a-2)杂质扩散成分，

[化1]

通式(1)中，R¹和R²表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的烯基、碳原子数为2～6的酰氧基、碳原子数为6～15的芳基中的任一种，复数个R¹和R²分别相同或不同；l₁表示1～10000的整数。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，上述硅烷化合物的聚合物为下述通式(2)所示的硅烷化合物的聚合物，

[化2]

通式(2)中，R³表示碳原子数为6～15的芳基，复数个R³分别相同或不同；R⁴表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的烯基、碳原子数为2～6的酰氧基、碳原子数为6～15的芳基中的任一种，复数个R⁴分别相同或不同；R⁵和R⁶表示羟基、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、碳原子数为2～10的烯基、碳原子数为2～6的酰氧基中的任一种，复数个R⁵和R⁶分别相同或不同；n₁、m₁表示1～9999的整数，n₁+m₁为2～10000的整数，n₁：m₁＝95：5～25：75。

3.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中，杂质扩散组合物(a)还包含：

(a-3)皂化度为20摩尔％以上且小于50摩尔％的聚乙烯醇。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其中，包括下述工序：将杂质扩散组合物膜(b)作为掩模，使杂质扩散至未形成杂质扩散组合物膜(b)的部分。

5.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中，使杂质扩散至未形成杂质扩散组合物膜(b)的部分的工序在将杂质扩散组合物膜(b)加热以使杂质扩散至上述半导体基板中而形成杂质扩散层区域(c)之后进行。

6.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中，使杂质扩散至未形成杂质扩散组合物膜(b)的部分的工序与将杂质扩散组合物膜(b)加热以使杂质扩散至上述半导体基板中的工序同时进行。

7.如权利要求5或6所述的半导体元件的制造方法，其中，使杂质扩散至未形成杂质扩散组合物膜(b)的部分的工序是注入包含杂质扩散成分的离子的工序。

8.如权利要求5或6所述的半导体元件的制造方法，其中，使杂质扩散至未形成杂质扩散组合物膜(b)的部分的工序是在包含杂质扩散成分的气氛中进行加热的工序。

9.如权利要求5或6所述的半导体元件的制造方法，其中，使杂质扩散至未形成杂质扩散组合物膜(b)的部分的工序为下述工序：在形成有杂质扩散组合物膜(b)的半导体基板上，将杂质扩散组合物(d)涂布到未形成杂质扩散组合物膜(b)的部分，对所形成的杂质扩散组合物膜(e)进行加热。