[发明专利]具有信息存储和显示功能的光伏太阳能电池在审
申请号: | 201980078572.2 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN113196503A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 科拉列·洛弗夫尔;马利克·本曼索尔;蒂鲍特·迪斯鲁斯;塞巴斯蒂安·杜波伊斯;简-帕特里斯·拉库图尼爱纳 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/18;H01L23/544 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 孟媛;胡春光 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 信息 存储 显示 功能 太阳能电池 | ||
一种光伏电池,所述光伏电池具有发射光辐射的结构,并且包括一个或多个雕刻图案,所述一个或多个雕刻图案在第一层中形成,所述第一层与第二层形成结,所述图案根据与至少一个信息符号相对应的,特别是与电池有关的信息项相对应的预定布置被分布,所述结在被反向偏置时能够发射光辐射,所述光辐射显示在所述第一层中雕刻的所述图案。
技术领域
本发明涉及太阳能电池(也被称为光伏(PV)电池)的领域,更具体地涉及设置有用于确保这些电池的可追溯性的装置的电池的领域。
背景技术
已知在太阳能电池上刻写有信息。例如,文献CN103489963B提出了借助于激光辐照技术在太阳能电池上刻写条形码。
对于一些电池技术,由于该技术所产生的显著的和局部的加热,从而可能损害电池的有源层或结的特性。
此外,激光设备的使用在制造方法的成本方面带来了问题。
另一方面,希望减少用于读取被刻写在电池上的信息所需的时间,例如,当必须进一步定位条形码所在的区域时,该时间能够增加。
针对这样的问题,提供了一种设置有用于确保电池的可追溯性的装置的电池,并且该电池相对于上述缺点得到了改进。
发明内容
因此,本发明的一个实施例提供了一种光伏电池,该光伏电池配备有具有一个或多个雕刻图案的结构,该结构能够发射光辐射。
电池在主面的区域上包括第一层,该第一层与至少一个第二层形成结,该第一层包括一个或多个雕刻图案,所述一个或多个图案根据与至少一个信息符号相对应的预定布置被分布,所述结在被反向偏置时能够发射光辐射,光辐射显示在所述第一层中被雕刻的所述一个或多个图案。
因此,利用这种电池,更容易识别所雕刻的图案。
能够更容易和更快速地检测这些图案所承载的信息项,例如电池的标识符或表示其制造方法或其所生产的技术的代码。
第一层可以是半导体基底层,或者是附接到或形成在半导体基底上的层。
第二层可以是半导体基底层,或者是附接到或形成在半导体基底上的层。
在如上所述的太阳能电池中,可以提供多种结类型。
根据第一个特定实施例,结可以是pn型同质结。在这种情况下,所述第一层可以是晶体半导体材料层,并且第一层与晶体基底的第二层形成同质结,或者与以晶体半导体层的形式置于半导体基底上的第二层形成该同质结。
根据第二个特定实施例,所述第一层可以是掺杂的非晶半导体层,或由本征非晶半导体层和掺杂的非晶半导体层组成的多层材料,并且第一层与第二层形成异质结。在这种情况下,第二层可以是晶体基底层或者是置于基底上的晶体半导体层。
根据光伏电池的另一特定实施例,所述第一层可以是形成肖特基结的金属层。在这种情况下,第二层可以是置于基底上的半导体基底层,特别是晶体或半导体层,特别是由晶体半导体材料制成的层。
根据光伏电池的另一可能的实施方式,第一层可以是金属层或是掺杂的多晶半导体材料层,该掺杂的多晶半导体材料层的导电类型与置于第一层上的基底的导电类型相反。在这种情况下,介电材料层可以被布置在基底和所述第一层之间。
根据光伏电池的另一可能的实施方式,所述第一层可以是金属氧化物层,并且形成异质结。在这种情况下,第二层可以是晶体基底层,或者是置于基底上的非晶半导体层,特别是晶体层。介电材料层可以被设置在基底和所述第一层之间。
本发明的一个实施例提供了一种光伏模块,该光伏模块设置有如上限定的光伏电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和替代能源委员会,未经原子能和替代能源委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980078572.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用多旋风模块的集尘装置
- 下一篇:包含侧面接合结构的接合组件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录设备、信息再现方法和信息再现设备
- 信息记录装置、信息记录方法、信息记录介质、信息复制装置和信息复制方法
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现方法、信息记录程序、信息再现程序、以及信息记录介质
- 信息记录设备、信息重放设备、信息记录方法、信息重放方法、以及信息记录介质
- 信息存储介质、信息记录方法、信息重放方法、信息记录设备、以及信息重放设备
- 信息存储介质、信息记录方法、信息回放方法、信息记录设备和信息回放设备
- 信息记录介质、信息记录方法、信息记录装置、信息再现方法和信息再现装置
- 信息终端,信息终端的信息呈现方法和信息呈现程序
- 信息创建、信息发送方法及信息创建、信息发送装置