[发明专利]具有全晶片覆盖能力的极高敏感度混和式检验

权利要求书

1.一种检测半导体样本上的缺陷的方法，所述方法包括：

使用光学检验器以用经选择以检验在跨半导体样本的多个对应位置处的多个候选缺陷及扰乱点位点的积极预定义的阈值检验所述样本，其中将所述多个候选缺陷及扰乱点位点及其位置提供到高分辨率分布式探针检验器；

使用所述高分辨率分布式探针检验器检验所述样本上的所述多个候选缺陷及扰乱点位点以使所述候选缺陷位点与所述扰乱点位点分离，其中所述高分辨率分布式探针检验器包括微型高分辨率探针阵列，且其中所述高分辨率分布式探针检验器经配置以使所述探针阵列相对于所述样本移动且所述探针阵列经配置以扫描及获得每一位点的高分辨率图像以使所述候选缺陷位点与所述扰乱点位点分离；

使用较高分辨率探针以获得每一候选位点的较高分辨率图像，其中所述较高分辨率探针具有高于经配置以获得每一位点的高分辨率图像的所述高分辨率探针的分辨率的分辨率；及

重检每一候选缺陷的较高分辨率图像以使不利地影响所述样本上的任何装置的操作的真实缺陷与所述候选缺陷分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述高分辨率分布式探针检验器包含所述较高分辨率探针。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述光学检验器是以在300nm到500nm之间的分辨率使用及配置；

所述微型高分辨率探针各自具有低于10nm的分辨率且所述探针阵列经配置以在载物台移动时扫描每一位点；且

所述较高分辨率探针具有1nm或更小的分辨率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中由所述光学检验器检测的所述位点数以百万计且所述候选缺陷位点数以千计或更少，且其中使用所述高分辨率分布式探针检验器检验所述样本上的所述候选缺陷及扰乱点位点以使所述候选缺陷位点与所述扰乱点位点分离花费一小时或更短时间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述微型高分辨率探针：

布置成跨越所述半导体样本的线性阵列，

数目在10个探针到100个探针之间，且

包括其自身物镜及扫描个别位点的扫描电子器件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述高分辨率分布式探针检验器包括其上装载所述半导体样本的载物台，且所述载物台经配置以在保持静止的所述微型高分辨率探针中的每一者下方扫描所述半导体样本的扫描带，以便提供全半导体样本覆盖。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述高分辨率分布式探针检验器包括其上装载所述半导体样本的载物台，且所述微型高分辨率探针是可移动的且经配置以在所述载物台保持固定时遍及所述半导体样本的扫描带扫描。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述高分辨率分布式探针检验器包括其上装载所述半导体样本的载物台，且所述载物台及所述微型高分辨率探针都是可移动的且经配置以在所述微型高分辨率探针中的每一者下方扫描所述半导体样本的扫描带。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述微型高分辨率探针经配置以在所述载物台经配置以旋转时径向移动，且所述扫描带是圆形的。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述微型高分辨率探针是布置于待在所述半导体样本上方居中的多个辐条中且每一辐条经配置以在所述载物台经配置以旋转时径向移动，且所述扫描带是圆形的。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述高分辨率分布式探针检验器是扫描电子显微镜SEM，且所述微型高分辨率探针中的每一探针包括微机电系统技术。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述微型高分辨率探针包括多个原子力显微镜AFM探针、多个近场微波探针，或多个近端光学探针。