[发明专利]具有反射器的辐射探测装置

权利要求书

1.一种辐射探测装置，包括：

闪烁体，所述闪烁体用于响应于吸收辐射而发出闪烁光；

光电传感器，所述光电传感器用于响应于接收所述闪烁光而产生电子脉冲，其中所述光电传感器位于第一平面上；和

反射器，所述反射器邻近所述光电传感器的外围，其中所述反射器围绕所述光电传感器，并且其中所述反射器位于所述第一平面上。

2.根据权利要求1所述的辐射探测装置，进一步包括壳体，所述壳体容纳所述闪烁体、所述光电传感器和所述反射器。

3.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述反射器耦接至所述线路板，其中所述光电传感器耦接至线路板，并且其中覆盖所述线路板的表面积的至少50％。

4.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述装置具有在0.1％至1.9％之间的增量脉冲高度分辨率。

5.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述闪烁体包括溴化镧材料，并且其中所述装置具有0.1％至1.0％之间的增量脉冲高度分辨率。

6.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述闪烁体包括NaI(T1)材料，并且其中所述装置具有0.4％至0.6％之间的增量脉冲高度分辨率。

7.根据权利要求1所述的辐射探测装置，其中所述闪烁体包括NaI(T1+Li)材料，并且其中所述装置具有0.6％至1.9％之间的增量脉冲高度分辨率。

8.一种辐射探测装置，包括：

闪烁体，所述闪烁体用于响应于吸收辐射而发出闪烁光；

光电传感器，所述光电传感器用于响应于接收所述闪烁光而产生电子脉冲，其中所述光电传感器的表面积小于所述闪烁体的70％，并且其中所述光电传感器位于第一平面上；

反射器，所述反射器邻近所述光电传感器的外围，其中所述反射器位于所述第一平面上。

9.根据权利要求8所述的辐射探测装置，其中所述光电传感器包括至少一个硅光电倍增器(SiPM)。

10.根据权利要求8所述的辐射探测装置，其中所述反射器覆盖所述线路板的表面积的至少95％。

11.根据权利要求8所述的辐射探测装置，其中所述脉冲高度分辨率对于Cs-137同位素662keV为小于7.5％。

12.根据权利要求8所述的辐射探测装置，其中所述脉冲高度分辨率对于Cs-137同位素662keV为小于7.2％。

13.根据权利要求8所述的辐射探测装置，其中所述脉冲高度分辨率对于Cs-137同位素662keV为小于7％。

14.根据权利要求8所述的辐射探测装置，其中所述脉冲高度分辨率对于Cs-137同位素662keV为在1％至7.5％之间。

15.一种使用辐射探测装置的方法，包括：

提供壳体，所述壳体容纳闪烁体、光电传感器和反射器，所述反射器与所述光电传感器在同一平面上，其中：

所述闪烁体配置为响应于吸收辐射而发出闪烁光；

所述光电传感器配置为响应于接收所述闪烁光而产生电子脉冲；

所述反射器配置为将所述闪烁光导向所述光电传感器；以及产生对于Cs-137同位素662keV小于7.5％的脉冲高度分辨率。