[发明专利]包含嵌段共聚物的用于形成非晶硅的组合物以及使用该组合物的非晶硅膜的制造方法

权利要求书

1.一种用于形成非晶硅的组合物，包含：

(a)嵌段共聚物，其由具有含有5个以上硅的聚硅烷骨架的直链和/或环状嵌段A和具有含有20个以上硅的聚硅氮烷骨架的嵌段B构成，嵌段A的至少一个硅和嵌段B的至少一个硅通过单键和/或含硅的交联基团连接，以及

(b)溶剂，

其中，所述嵌段聚合物中，在嵌段A与另一嵌段A之间、嵌段B与另一嵌段B之间或嵌段A与嵌段B之间通过含硅的交联基团连接。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，

所述嵌段A包含5个以上选自下式(I-1)至(I-3)的重复单元：

式中，R^Ia、R^Ib和R^Ic各自独立地为氢、卤素、C_1-6烷基或C_6-10芳基，

所述嵌段B包含20个以上选自下式(II-1)至(II-6)的重复单元：

式中，R^IIa至R^IIi各自独立地为氢或C_1-4烷基。

3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述嵌段共聚物的质均分子量为1100至25000。

4.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述嵌段共聚物的分子中包含的N原子数与Si原子数之比为0.9至95％。

5.根据权利要求2所述的组合物，其中，所述嵌段共聚物的分子中包含的式(I-1)至(I-3)的重复单元的总数与式(II-1)至(II-6)的重复单元的总数之比为0.3至114。

6.根据权利要求2或5所述的组合物，其中，所述嵌段A中的R^Ia、R^Ib和R^Ic均为氢。

7.根据权利要求2或5所述的组合物，其中，所述嵌段B中的R^IIa至R^IIi均为氢。

8.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述嵌段聚合物由包含所述嵌段B的主链和包含所述嵌段A的侧链构成。

9.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述嵌段A的至少一个是下式(I-4)的结构：

式中，R^1d和R^1e各自独立地是氢、卤素、C_1-6烷基、C_6-10芳基或单键，但是R^1d和R^1e的至少一个是单键，

p是5以上的整数。

10.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述溶剂的介电常数为3.0以下。

11.一种非晶硅膜的制造方法，包括

将权利要求1至10中任一项所述的组合物涂覆在基板上形成涂覆膜，以及

在非氧化气氛中对所述涂覆膜进行加热。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成涂覆膜后，用波长248至436nm的光照射。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，加热在200至1000℃下进行。

14.一种电子器件的制造方法，包括权利要求11至13中任一项所述的方法。