[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201980079037.9 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN113169211A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 金东旭;郭珍午;宋根圭;赵诚赞;赵显敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/10;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
显示装置可以包括:基底,包括显示区域和非显示区域;以及多个像素,设置在显示区域中并且多个像素中的每个具有多个子像素。子像素中的每个可以包括像素电路部分和包括用于发射光的至少一个发光元件的显示元件层。在此,显示元件层包括:第一电极,设置在像素电路部分上;第二电极,设置在第一电极上并且与第一电极电绝缘;发光元件,包括连接到第一电极的第一端部和连接到第二电极的第二端部,并且设置在第一电极与第二电极之间;中间层,围绕发光元件的至少一个区域并且设置在第一电极上;以及连接布线,与第一电极设置在同一表面上并且电连接到第二电极。在此,第二电极可以布置在中间层上。
技术领域
本公开的各个实施例涉及一种显示装置,并且更具体地,涉及一种包括超小型发光元件的显示装置及制造该显示装置的方法。
背景技术
发光二极管即使在恶劣的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐久性,并且在寿命和亮度方面具有优异的性能。最近,对将这种发光二极管应用于各种显示装置的技术的研究已经明显变得更加活跃。
作为这种研究的一部分,正在开发使用无机晶体结构(例如,通过生长氮化物基半导体获得的结构)制造具有对应于微米级或纳米级的超小型尺寸的发光二极管的技术。
为了将发光二极管应用于包括照明装置、显示装置等的电子装置,需要将发光二极管结合到电极,使得电源的电压可以施加到发光二极管。关于发光二极管的应用目的、减小电极所需空间的方法或制造发光二极管的方法,已经对发光二极管与电极之间的布置关系进行了各种研究。
发明内容
技术问题
本公开的各个实施例涉及一种能够提高发光元件的光输出效率的显示装置。
本公开的各个实施例涉及一种制造显示装置的方法。
技术方案
根据本公开的实施例的显示装置可以包括:基底,包括显示区域和非显示区域;以及多个像素,设置在显示区域中,并且多个像素中的每个包括多个子像素。多个子像素中的每个可以包括像素电路层和显示元件层,该显示元件层包括发射光的至少一个发光元件。显示元件层可以包括:第一电极,设置在像素电路层上;第二电极,设置在第一电极上并且与第一电极电绝缘;发光元件,包括结合到第一电极的第一端部和结合到第二电极的第二端部,并且设置在第一电极与第二电极之间;中间层,包围发光元件的至少一个区域,并且设置在第一电极上;以及连接线,与第一电极设置在同一表面上并且电连接到第二电极。第二电极可以设置在中间层上。
根据本公开的实施例,发光元件的第一端部可以相对于发光元件的纵向方向设置在发光元件的下端部上。发光元件的第二端部可以相对于发光元件的纵向方向设置在发光元件的上端部上。
根据本公开的实施例,发光元件的第一端部可以与第一电极直接接触,并且发光元件的第二端部可以与第二电极直接接触。
根据本公开的实施例,发光元件可以相对于发光元件的纵向方向在每个子像素的发射区域中对准。
根据本公开的实施例,在平面图中,第二电极可以与第一电极叠置。
根据本公开的实施例,中间层可以包括硬化材料,并且暴露发光元件的第二端部。
根据本公开的实施例,发光元件可以包括:核-壳发光图案,包括第一半导体层(或第一导电半导体层)、包围第一导电半导体层的至少一部分的活性层、包围活性层的至少一部分的第二半导体层(或第二导电半导体层)以及包围第二导电半导体层的至少一部分的电极层;以及绝缘膜,包围核-壳发光图案的外周表面的一部分。电极层的一部分可以与第二电极直接接触,而不被覆盖有绝缘膜。
根据本公开的实施例,中间层可以包括多个导电颗粒。
根据本公开的实施例,显示装置还可以包括设置在中间层与第二电极之间的绝缘图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的