[发明专利]钙钛矿发光二极管在审
申请号: | 201980079130.X | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN113169275A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 禹汉永;张起晳;宋明勋;文晶玟;崔秀石;T·L·阮;李承珍;张充铉 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司;高丽大学校产学协力团;蔚山科学技术院 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/50 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王冬慧 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 发光二极管 | ||
1.钙钛矿发光装置,其包括:
第一电极;
设置在第一电极上的空穴传输层;
设置在所述空穴传输层上的钙钛矿发光层;
设置在所述钙钛矿发光层上的电子传输层;和
设置在所述电子传输层上的第二电极,
其中所述空穴传输层包含由以下化学式1或以下化学式2表示的化合物:
[化学式1]
-Ar1-Ar2-
[化学式2]
其中Ar1由以下化学式3表示:
[化学式3]
其中R1和R2中的每一个独立地选自-CnH2n-X-Y+,其中n是1至20的整数;和-Ar3-(O-CnH2n-X-Y+)m,其中n是1至20的整数,m是1至3之间的整数,
其中Ar3是苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基或硒吩基,
其中X-是SO3-、CO2-或PO32-,且Y+是H+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、NH4+或NR3R4R5R6+,
其中R3至R6中的每一个独立地选自具有1至20个碳原子的烷基,
其中Ar2是取代或未取代的芳基,并且
其中m是1至1,000,000的整数。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述空穴传输层的HOMO能级在5.0至6.0eV的范围内。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述空穴传输层的LUOMO能级与所述钙钛矿发光层的LUMO能级之差为0.3eV或更大。
4.根据权利要求1所述的装置,其中在所述空穴传输层的表面上,水的接触角为10°或更大。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述钙钛矿发光层的厚度为500nm或更小。
6.根据权利要求1所述的装置,其中采用在所述钙钛矿发光装置的驱动方向上施加的电应力,对所述空穴传输层进行后处理。
7.根据权利要求1所述的装置,其中将所述钙钛矿发光装置封装,然后在室温和氮气气氛中老化至少12小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择