[发明专利]钙钛矿发光二极管在审

专利信息
申请号: 201980079130.X 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN113169275A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 禹汉永;张起晳;宋明勋;文晶玟;崔秀石;T·L·阮;李承珍;张充铉 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司;高丽大学校产学协力团;蔚山科学技术院
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/50
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王冬慧
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 发光二极管
【权利要求书】:

1.钙钛矿发光装置,其包括:

第一电极;

设置在第一电极上的空穴传输层;

设置在所述空穴传输层上的钙钛矿发光层;

设置在所述钙钛矿发光层上的电子传输层;和

设置在所述电子传输层上的第二电极,

其中所述空穴传输层包含由以下化学式1或以下化学式2表示的化合物:

[化学式1]

-Ar1-Ar2-

[化学式2]

其中Ar1由以下化学式3表示:

[化学式3]

其中R1和R2中的每一个独立地选自-CnH2n-X-Y+,其中n是1至20的整数;和-Ar3-(O-CnH2n-X-Y+)m,其中n是1至20的整数,m是1至3之间的整数,

其中Ar3是苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基或硒吩基,

其中X-是SO3-、CO2-或PO32-,且Y+是H+、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+、NH4+或NR3R4R5R6+

其中R3至R6中的每一个独立地选自具有1至20个碳原子的烷基,

其中Ar2是取代或未取代的芳基,并且

其中m是1至1,000,000的整数。

2.根据权利要求1所述的装置,其中所述空穴传输层的HOMO能级在5.0至6.0eV的范围内。

3.根据权利要求1所述的装置,其中所述空穴传输层的LUOMO能级与所述钙钛矿发光层的LUMO能级之差为0.3eV或更大。

4.根据权利要求1所述的装置,其中在所述空穴传输层的表面上,水的接触角为10°或更大。

5.根据权利要求1所述的装置,其中所述钙钛矿发光层的厚度为500nm或更小。

6.根据权利要求1所述的装置,其中采用在所述钙钛矿发光装置的驱动方向上施加的电应力,对所述空穴传输层进行后处理。

7.根据权利要求1所述的装置,其中将所述钙钛矿发光装置封装,然后在室温和氮气气氛中老化至少12小时。

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