[发明专利]用于原子层沉积或化学气相沉积的方法及设备

权利要求书

1.一种设备，其包含：

处理室；

前体气体源；

反应物气体源；

抑制剂气体源；

钝化气体源；

气体入口，其与所述处理室流体连接；

切换歧管，其中在第一位置的所述切换歧管提供所述抑制剂气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第二位置的所述切换歧管提供所述前体气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第三位置的所述切换歧管提供所述反应物气体源与所述气体入口之间的流体连接，其中在第四位置的所述切换歧管提供所述钝化气体源与所述气体入口之间的流体连接；且其中所述切换歧管防止所述气体入口同时与所述前体气体源、所述反应物气体源、所述钝化气体源以及所述抑制剂气体源中的至少两者流体连接；以及

控制器，其可控地连接至所述切换歧管。

2.根据权利要求1所述的设备，其还包含：

位于所述处理室内的衬底支撑件；以及

位于所述处理室内的喷头，其与所述气体入口流体连接。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述喷头放置于所述衬底支撑件上方且接地。

4.根据权利要求3所述的设备，其还包含：

电连接至所述衬底支撑件的低频RF源，其中所述低频RF源向所述衬底支撑件提供在100kHz到1MHz的频率范围内的RF信号；以及

电连接至所述衬底支撑件的高频RF源，其中所述高频RF源向所述衬底支撑件提供在10MHz到100MHz的频率范围内的RF信号。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述控制器包含：

至少一处理器；以及

计算机可读介质，其包含：

计算机编码，其用于提供多个循环，其中所述每一循环包含：

提供抑制剂沉积，其包含将所述切换歧管放置于所述第一位置；以及

提供至少一原子层沉积循环，其包含：

将所述切换歧管放置于所述第二位置；以及

将所述切换歧管放置于所述第三位置。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述控制器可控地连接至所述高频RF源以及所述低频RF源，其中所述计算机可读介质进一步包含：

用于在所述切换歧管位于所述第一位置时提供第一高频激发功率的计算机编码；

用于在所述切换歧管位于所述第一位置时提供第一低频偏置功率的计算机编码；

用于在所述切换歧管位于所述第二位置时提供第二高频激发功率的计算机编码；

用于在所述切换歧管位于所述第二位置时提供第二低频偏置功率的计算机编码；以及

用于在所述切换歧管位于所述第三位置时提供第三高频激发功率的计算机编码；以及

用于在所述切换歧管位于所述第三位置时提供第三低频偏置功率的计算机编码。

7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第二高频激发功率低于500瓦，且所述第二低频偏置功率低于500瓦，所述第三高频激发功率高于125瓦，且所述第三低频偏置功率高于25瓦。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一高频激发功率高于250瓦。

9.根据权利要求8所述的设备，其中用于提供多个循环的所述计算机编码还包含：将所述切换歧管放置于第四位置，且其中所述计算机可读介质还包含用于当所述切换歧管位于所述第四位置时提供第四高频激发功率的计算机编码，其中所述第四高频激发功率高于250瓦。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述前体气体源提供含硅前体，且所述反应物气体源提供氧化气体。