[发明专利]在极紫外线光刻应用中从光掩模去除附接特征在审
申请号: | 201980079405.X | 申请日: | 2019-10-22 |
公开(公告)号: | CN113169047A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 吴半秋;伊莱·达甘;哈立德·马哈姆雷;布鲁斯·J·芬德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L21/78;G03F7/42;G03F7/34;G03F1/62;H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外线 光刻 应用 光掩模 去除 特征 | ||
1.一种用于处理光掩模的附接特征去除设备,包括:
附接特征拉拔器,所述附接特征拉拔器进一步包括:
致动器;
夹具,所述夹具与所述致动器耦接,所述夹具适于夹持附接特征;及
线圈组件,所述线圈组件与所述附接特征相邻设置。
2.如权利要求1所述的附接特征去除设备,其中所述附接特征拉拔器进一步包括:
皮层螺柱夹持器,其中所述夹具耦接于在所述皮层螺柱夹持器中界定的开口中。
3.如权利要求2所述的附接特征去除设备,其中所述皮层螺柱夹持器进一步包括:
一对侧壁,所述一对侧壁由底部连接,其中所述开口界定在所述一对侧壁之间。
4.如权利要求1所述的附接特征去除设备,其中所述皮层螺柱夹持器由绝缘材料制成。
5.如权利要求4所述的附接特征去除设备,其中所述导电材料由耐火材料制成。
6.如权利要求3所述的附接特征去除设备,其中所述夹具抵靠所述皮层螺柱夹持器的所述侧壁设置。
7.如权利要求1所述的附接特征去除设备,所述夹具由耐火材料制成。
8.如权利要求1所述的附接特征去除设备,其中所述附接特征拉拔器设置在包括加热装置的附接特征去除设备中。
9.如权利要求8所述的附接特征去除设备,其中所述附接特征去除设备包括加热板。
10.如权利要求8所述的附接特征去除设备,其中所述附接特征去除设备包括一个或多个附接特征拉拔器。
11.一种用于从光掩模去除附接特征的方法,包括:
将附接特征拉拔器定位成包围设置在光掩模上的附接特征;
通过感应加热来加热所述附接特征;
移动所述附接特征拉拔器以夹持附接特征;
对所述附接特征拉拔器施加机械力;及
从所述光掩模去除所述附接特征。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述附接特征进一步包括设置在粘合层上的皮层螺柱,所述粘合层设置在所述光掩模上。
13.如权利要求11所述的方法,其中加热所述附接特征的步骤进一步包括:
将功率施加到设置在所述附接特征拉拔器附近的线圈组件,其中所述线圈组件围绕所述附接特征设置。
14.如权利要求13所述的方法,进一步包括:
软化所述附接特征中的粘合层。
15.如权利要求11所述的方法,其中定位所述附接特征拉拔器的步骤进一步包括:
通过设置在所述附接特征拉拔器中的皮层螺柱夹持器来夹持所述附接特征。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造