[发明专利]金属膜形成用前驱体组合物、利用其的金属膜形成方法、半导体元件以及晶体管

权利要求书

1.一种金属膜形成用前驱体组合物，其特征在于：包括以下述化学式1和化学式2中的某一个表示的锆化合物以及以下述化学式4和化学式5中的任意一个表示的铪化合物：

【化学式1】

【化学式2】

【化学式4】

【化学式5】

在上述化学式1、2、4和5中，R₁至R₅分别是独立的氢原子或C₁-C₆的烷基，X₁至X₃是C₁至C₅的烷基或-NR₆R₇或-OR₈或包含或不包含取代基的环戊二烯基，此时，R₆至R₈分别是独立的C₁-C₆的烷基。

2.根据权利要求1所述的金属膜形成用前驱体组合物，其特征在于：

还追加包含溶剂。

3.根据权利要求2所述的金属膜形成用前驱体组合物，其特征在于：

上述溶剂为C₁-C₁₆的饱和或不饱和烃、酮、醚、甘醇二甲醚、酯、四氢呋喃、叔胺中的任意一个或多个。

4.根据权利要求2所述的金属膜形成用前驱体组合物，其特征在于：

上述溶剂相对于上述金属膜形成用前驱体组合物的总重量包含0.1至99重量％。

5.根据权利要求1所述的金属膜形成用前驱体组合物，其特征在于：

上述锆化合物以及铪化合物是按照0.1:99.9至99.9:0.1的重量比进行混合。

6.一种金属膜的形成方法，其特征在于，包括：

利用根据权利要求1所述的金属膜形成用前驱体组合物在基板上沉积金属膜的步骤。

7.根据权利要求6所述的金属膜形成方法，其特征在于：

上述金属膜形成用前驱体组合物还追加包含溶剂。

8.根据权利要求6所述的金属膜形成方法，其特征在于：

上述溶剂相对于上述金属膜形成用前驱体组合物的总重量包含0.1至99重量％。

9.根据权利要求6或权利要求7所述的金属膜形成方法，其特征在于：

上述金属膜是通过原子层沉积法、化学气相沉积法或蒸发法中的任意一个方法进行沉积。

10.根据权利要求6或权利要求7所述的金属膜形成方法，其特征在于：

还追加包括将上述金属膜形成用前驱体组合物供应到上述基板上的前驱体组合物传递步骤；

上述前驱体组合物传递步骤是利用蒸汽压力的挥发移送法、直接液体注入法或液体移送法中的任意一个。

11.根据权利要求6或权利要求7所述的金属膜形成方法，其特征在于：

上述沉积，包括：

将基板配置在腔室内部的步骤；

将上述金属膜形成用前驱体组合物供应到上述腔室内部的步骤；

向上述腔室内部供应反应性气体或反应性气体的等离子体的步骤；以及，

在上述腔室内部通过热处理、等离子体处理以及光照射中的任意一个或多个方法进行处理的步骤。

12.根据权利要求11所述的金属膜形成方法，其特征在于：

上述反应性气体是水蒸气、氧气、臭氧、过氧化氢、氢气、氨气、一氧化氮、一氧化二氮、二氧化氮、肼以及硅烷中的任意一个或多个，上述反应性气体的等离子体可以是射频等离子体、直流等离子体或远程等离子体中的任意一个。