[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，其特征在于，具备：

半导体激光元件；

具有栅极电极、源极电极以及漏极电极的开关元件；以及

具有构成通向上述开关元件及上述半导体激光元件的导通路径的导电部，且支撑上述半导体激光元件及上述开关元件的支撑部件，

上述导电部具有从上述半导体激光元件分离的第一部，

上述半导体激光装置具备：

连接于上述开关元件的上述源极电极和上述半导体激光元件的一个以上的第一引线；以及

连接于上述开关元件的上述源极电极和上述导电部的上述第一部的一个以上的第二引线。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，

一个以上的上述第一引线的电阻值比一个以上的上述第二引线的电阻值小。

3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述第一引线和上述第二引线由相同材质构成，

具备多个上述第一引线，并且多个上述第一引线的根数比一个以上的上述第二引线的根数多。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述开关元件具有由半导体材料构成的元件主体，

上述元件主体具有在作为厚度方向的第一方向上互相朝向相反侧的元件主面及元件背面，

上述栅极电极及上述源极电极配置于上述元件主面上，

上述漏极电极配置于上述元件背面上。

5.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述半导体激光元件具有在上述第一方向上配置于上述元件主面朝向的一侧的第一激光电极和配置于上述元件背面朝向的一侧的第二激光电极，

在上述第一激光电极连接有上述第一引线。

6.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述支撑部件具有基材，该基材具有在上述第一方向上互相朝向相反侧的主面及背面。

7.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述导电部具有配置于上述主面上的主面部和配置于上述背面上的背面部。

8.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述导电部包括使上述主面部和上述背面部导通的多个联络部。

9.根据权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述主面部包括作为上述第一部的主面第一部。

10.根据权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述主面部包括导通接合有上述开关元件的上述漏极电极的主面第二部。

11.根据权利要求10所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述主面部包括导通接合有上述半导体激光元件的上述第二激光电极的主面第三部。

12.根据权利要求11所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述主面部包括主面第四部，

具备连接于上述栅极电极和上述主面第四部的第三引线。

13.根据权利要求12所述的半导体激光装置，其特征在于，

具备电气地介于上述主面第二部与上述主面第三部之间的电容器。

14.根据权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述电容器导通接合于上述主面第二部和上述主面第三部。

15.根据权利要求14所述的半导体激光装置，其特征在于，

上述背面部包括导通于上述主面第一部的背面第一部、导通于上述主面第二部的背面第二部、导通于上述主面第三部的背面第三部以及导通于上述主面第四部的背面第四部。